上海华力微电子有限公司徐敏获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利监测晶圆杂质的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334697B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111656770.8，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权监测晶圆杂质的方法是由徐敏;陈雷刚;朱月芹设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本监测晶圆杂质的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种监测晶圆杂质的方法，包括：将所有N型阱区串联；将所有P型阱区串联；向所述P型阱区施加测试电压，所述N型阱区接地，测得所述P型阱区的电流，或者向所述N型阱区施加测试电压，所述P型阱区接地，测得所述N型阱区的电流；若测得的所述N型阱区的电流或者所述P型阱区的电流的电流发生突变，则认为所述晶圆包含杂质。相对于现有技术，采用本发明的检测晶圆杂质的方法，可以在制作P型阱区、N型阱区后即可检测出晶圆是否包含杂质，提前发现不良品，防止产品出现早夭的情况，同时，提前发现了不良品，也可以减少浪费的时间。
本发明授权监测晶圆杂质的方法在权利要求书中公布了：1.一种监测晶圆杂质的方法，晶圆内具有N型阱区、P型阱区以及位于所述N型阱区和P型阱区之间的隔离结构，其特征在于，包括： 将所有N型阱区串联； 将所有P型阱区串联； 向所述P型阱区施加测试电压，所述N型阱区接地，测得所述P型阱区的电流，或者向所述N型阱区施加测试电压，所述P型阱区接地，测得所述N型阱区的电流； 若测得的所述N型阱区的电流或者所述P型阱区的电流的电流发生突变，且此时的测试电压大于设定的电压，则认为所述晶圆包含杂质； 所述杂质包括附在N型阱区或P型阱区内以及位于隔离结构内的金属颗粒。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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