上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体(上海)有限公司廖世保获国家专利权
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龙图腾网获悉上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体(上海)有限公司申请的专利一种实现高温化学蚀刻反应的湿法处理方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114420593B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111647150.8,技术领域涉及:H01L21/67;该发明授权一种实现高温化学蚀刻反应的湿法处理方法是由廖世保;邓信甫;陈丁堃设计研发完成,并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种实现高温化学蚀刻反应的湿法处理方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种实现高温化学蚀刻反应的湿法处理方法,具体包括以下步骤:步骤S1,控制一机器人将一晶圆放置到一放置台上,并控制放置台上的一通气装置输出一高压气流以使晶圆悬浮于放置台上;步骤S2,喷淋一第一清洗液至晶圆的表面进行高温化学蚀刻,以及喷淋一第二清洗液至晶圆的侧面进行湿法处理,并控制机器人将晶圆取下。有益效果是本方法通过通气设备输出高压气流使晶圆处于悬浮状态,并对晶圆进行非接触式清洗,对晶圆的上表面喷淋第一清洗液进行高温化学蚀刻,对晶圆的侧面喷淋第二清洗液进行湿法处理,在晶圆的下表面喷射高压气流,以此实现对晶圆全方位的清洗、蚀刻与保护,并通过稳定加热的第一清洗液实现稳定的高温化学蚀刻反应。
本发明授权一种实现高温化学蚀刻反应的湿法处理方法在权利要求书中公布了:1.一种实现高温化学蚀刻反应的湿法处理方法,其特征在于,具体包括以下步骤: 步骤S1,控制一机器人将一晶圆放置到一放置台上,并控制所述放置台上的一通气装置输出一高压气流以使所述晶圆悬浮于所述放置台上; 步骤S2,喷淋一第一清洗液至所述晶圆的表面进行高温化学蚀刻,以及喷淋一第二清洗液至所述晶圆的侧面进行湿法处理,并控制所述机器人将所述晶圆取下; 所述步骤S1中,所述高压气流的气流喷射区域范围为17%R-36%R之间,R表示晶圆的半径; 在所述放置台环状的外侧夹持区域设置有管路,通过管路进行内外区域的氮气、气态或液态的异丙醇的喷流; 所述步骤S2中,通过一清洗装置对所述晶圆进行清洗,所述清洗装置包括: 一中置喷嘴,设置于所述晶圆的上方,用于向所述晶圆的表面喷淋一第一清洗液以于所述晶圆的表面进行高温化学蚀刻; 所述中置喷嘴采用可交错式上下移动的具备液体导流功能的腔体,在所述第一清洗液进行高温化学蚀刻时,将所述第一清洗液导流至所述腔体内,利用交错的气氛进行隔离,搭配排气的分散,维持所述第一清洗液与气氛的分别导流。
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