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龙图腾网获悉闽都创新实验室申请的专利一种超高分辨率Nano-LED发光显示阵列的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464641B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210092018.3，技术领域涉及：H10H29/30；该发明授权一种超高分辨率Nano-LED发光显示阵列的制备方法是由周雄图;叶金宇;张永爱;吴朝兴;郭太良;孙捷;严群设计研发完成，并于2022-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超高分辨率Nano-LED发光显示阵列的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种超高分辨率Nano‑LED发光显示阵列的制备方法，包括：依次在衬底上生长N‑GaN层、多量子阱层；采用选区离子注入法形成多量子阱点阵；继续生长P‑GaN层；使用另一种离子提高隔离区域P型GaN的电阻率，沉积导热层阵列；接着制作P接触电极阵列、N接触电极形成最后的超高分辨率Nano‑LED发光显示阵列。本发明简化了制备工艺流程，可以减少刻蚀工艺中可能会产生的边缘效应和尺寸效应，极大程度上实现器件发光单元之间的电学隔离。

本发明授权一种超高分辨率Nano-LED发光显示阵列的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超高分辨率Nano-LED发光显示阵列的制备方法，其特征在于，所述超高分辨率Nano-LED发光显示阵列包括从下至上依次设置的衬底、N型GaN层、发光层、P型GaN层和P接触电极；所述N型GaN层上还设置有公共N接触电极；所述发光层采用多量子阱纳米点阵，所述多量子阱纳米点阵之间的隔离区域厚度相等且连续； 所述P接触电极通过图形化覆盖N个多量子阱纳米点阵，N≥1； 所述制备方法包括以下步骤： 步骤S11：在蓝宝石衬底上依次外延生长N型GaN层、多量子阱层； 步骤S12：在多量子阱表面沉积一层离子注入保护层，采用电子束光刻、变参量光刻或纳米压印在离子注入保护层上形成光刻胶纳米阵列，并以光刻胶作为保护，去除暴露的离子注入保护层，形成离子注入保护层纳米阵列； 步骤S13：采用离子注入方法，通过注入能量控制注入深度和横向扩散程度，破坏没有保护层的多量子阱结构，使其失去发光能力，去除离子注入保护层纳米阵列，形成超高分辨率多量子阱纳米阵列； 步骤S14：在步骤S13得到的多量子阱纳米阵列表面继续外延生长P型GaN层； 步骤S15：在步骤S14得到的P型GaN层表面沉积一层P接触电极薄膜，采用电子束光刻、变参量光刻或纳米压印在P接触电极薄膜上形成与步骤S13得到的超高分辨率多量子阱纳米阵列一对N的光刻胶阵列，并以光刻胶作为保护，去除暴露的P接触电极薄膜，形成与步骤S13得到的超高分辨率多量子阱纳米阵列一对N的P接触电极阵列； 步骤S16：采用光刻和刻蚀手段，形成公共N接触电极窗口，并引出公共N接触电极，形成超高分辨率Nano-LED发光显示阵列。

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