湖南国芯半导体科技有限公司高秀秀获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉湖南国芯半导体科技有限公司申请的专利一种半导体功率器件的边缘终端及其制造方法和半导体功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678412B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210259525.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体功率器件的边缘终端及其制造方法和半导体功率器件是由高秀秀;刘洪伟;李然;戴小平设计研发完成，并于2022-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体功率器件的边缘终端及其制造方法和半导体功率器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体功率器件的边缘终端及其制造方法和半导体功率器件，该边缘终端包括：N个浮空场限环，浮空场限环环绕半导体功率器件的主结区，其中第1个至第n个浮空场限环的结深与主结区的结深相同，第n+i个浮空场限环的结深大于第n个浮空场限环的结深，且从第n+1个浮空场限环开始，浮空场限环的结深逐渐增大，N、n、i为正整数，且2≤n＜n+i≤N。本发明边缘终端通过优化浮空场限环的结深和掺杂分布，浮空场限环的曲率半径增大，提升了终端区的电场分布均匀性和面积，进而提升了终端效率和阻断电压。
本发明授权一种半导体功率器件的边缘终端及其制造方法和半导体功率器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体功率器件的边缘终端，其特征在于，包括： N个浮空场限环，浮空场限环环绕半导体功率器件的主结区； 第1个至第n个浮空场限环的结深与主结区的结深相同，第n+i个浮空场限环的结深大于第n个浮空场限环的结深，且从第n+1个浮空场限环开始，浮空场限环的结深逐渐增大，N、n、i为正整数，且2≤n＜n+i≤N；所述第1个至第n个浮空场限环的掺杂分布与主结区相同；所述浮空场限环的峰值掺杂浓度为5e17cm-3～5e20cm-3。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南国芯半导体科技有限公司，其通讯地址为：412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼1楼101室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励