买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海微电子装备(集团)股份有限公司申请的专利一种电极的激光退火方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695091B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011634910.7，技术领域涉及：H01L21/04；该发明授权一种电极的激光退火方法及设备是由张为国;张俊;唐世弋设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电极的激光退火方法及设备在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种电极的激光退火方法及设备。该方法包括：提供衬底；其中，衬底包括第一电极设置区；在衬底一侧形成第一掺杂层；其中，第一掺杂层中掺杂有第一掺杂源；在第一掺杂层背离衬底的一侧形成第一金属层；采用第一激光器对位于第一电极设置区的第一掺杂层和第一金属层进行热处理，以使第一掺杂源和第一金属层中的金属分子扩散至第一电极设置区；采用第二激光器对位于第一电极设置区的第一金属层进行热处理，以使第一金属层与衬底形成欧姆接触。本发明实施例提供的技术方案可使第一金属层与衬底之间形成稳定、均匀的欧姆接触，进而提高半导体器件和外部器件的电连接质量。

本发明授权一种电极的激光退火方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种电极的激光退火方法，其特征在于，包括： 提供衬底；其中，所述衬底包括第一电极设置区； 在所述衬底一侧形成第一掺杂层；其中，所述第一掺杂层中掺杂有第一掺杂源； 在所述第一掺杂层背离所述衬底的一侧形成第一金属层； 采用第一激光器对位于所述第一电极设置区的所述第一掺杂层和所述第一金属层进行热处理，以使所述第一掺杂源和所述第一金属层中的金属分子扩散至所述第一电极设置区； 采用第二激光器对位于所述第一电极设置区的所述第一金属层进行热处理，以使所述第一金属层与所述衬底形成欧姆接触； 所述衬底还包括第二电极设置区；所述方法还包括： 在所述衬底的一侧形成第二掺杂层；其中，所述第二掺杂层中含有第二掺杂源；所述第一掺杂源和所述第二掺杂源中，其中一个包括P型掺杂源，另一个包括N型掺杂源；所述第一掺杂层和所述第二掺杂层位于所述衬底的同一侧； 在所述第二掺杂层背离所述衬底的一侧形成第二金属层； 采用所述第一激光器对位于所述第二电极设置区的所述第二掺杂层和所述第二金属层进行热处理，以使所述第二掺杂源和所述第二金属层中的金属分子扩散至所述第二电极设置区； 采用所述第二激光器对位于所述第二电极设置区的所述第二金属层进行热处理，以使所述第二金属层与所述衬底形成欧姆接触； 所述第一激光器输出的激光的波长范围包括500nm-1100nm，脉宽范围包括20ns-500ns；所述第二激光器输出的激光的波长范围包括150nm-400nm，脉宽范围包括1ns-20ns，以使得第一金属层快速充分地熔融。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海微电子装备(集团)股份有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区自由贸易试验区张东路1525号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。