中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所顾颖获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利Micro-LED器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725266B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210366078.X，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权Micro-LED器件及其制备方法是由顾颖;陆书龙;杨文献;张鹏;邱海兵;张雪设计研发完成，并于2022-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本Micro-LED器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明揭示了一种Micro‑LED器件及其制备方法，所述Micro‑LED器件包括Micro‑LED外延片、钝化层、电流扩展层及电极，其中：所述Micro‑LED外延片依次包括衬底、N型半导体层、有源层及P型半导体层，所述Micro‑LED外延片上形成有发光单元、及位于发光单元旁侧且刻蚀至N型半导体层的台阶；所述钝化层位于台阶上，所述钝化层中形成有贯穿至N型半导体层的隔离槽；所述电流扩展层位于P型半导体层及全部或部分钝化层上方；所述电极包括位于电流扩展层上且与P型半导体层电性连接的第一电极、及位于隔离槽中且与N型半导体层电性连接的第二电极。本发明中采用钝化层剥离工艺，无需对器件台面进行二次光刻对准，降低了器件制备过程中光刻对准和曝光精度的要求，降低了工艺复杂度及工艺成本。
本发明授权Micro-LED器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LED器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： S1、在衬底上依次外延生长N型半导体层、有源层及P型半导体层，得到Micro-LED外延片； S2、通过一次光刻对准，在Micro-LED外延片上的发光单元上形成光刻胶； S3、通过干法刻蚀工艺刻蚀Micro-LED外延片至N型半导体层，在发光单元的两旁侧形成台阶； S4、在台阶及光刻胶上沉积钝化层，所述钝化层的顶面与所述P型半导体层的顶面平齐； S5、剥离光刻胶及其上的钝化层； S6、对钝化层进行开孔，形成贯穿至N型半导体层的隔离槽； S7、在P型半导体层及全部或部分钝化层上方制备电流扩展层； S8、在电流扩展层上制备与P型半导体层电性连接的第一电极，及，在隔离槽中制备与N型半导体层电性连接的第二电极。
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