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龙图腾网获悉上海灿瑞科技股份有限公司申请的专利一种具有高温补偿功能的带隙基准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114815955B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210607253.X，技术领域涉及：G05F3/26；该发明授权一种具有高温补偿功能的带隙基准电路是由杨国坤;叶英;杜金城;罗杰;朗伟;李典侑设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有高温补偿功能的带隙基准电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有高温补偿功能的带隙基准电路，属于半导体集成电路领域。一种具有高温补偿功能的带隙基准电路，包括带隙基准产生电路和高温补偿电路；所述带隙基准产生电路与所述高温补偿电路连接；所述带隙基准产生电路用于产生带隙基准电压；所述高温补偿电路用于在高温下对所述带隙基准电压进行补偿。本发明解决了NPN三极管制程造成的寄生二极管在高温下反向饱和漏电流增大，引起的带隙基准电压不准的问题，实现带隙基准电压在高温下的恒定。

本发明授权一种具有高温补偿功能的带隙基准电路在权利要求书中公布了：1.一种具有高温补偿功能的带隙基准电路，其特征在于，包括带隙基准产生电路和高温补偿电路；所述带隙基准产生电路与所述高温补偿电路连接；所述带隙基准产生电路用于产生带隙基准电压；所述高温补偿电路用于在高温下对所述带隙基准电压进行补偿； 所述带隙基准产生电路包括第一电流镜单元、第一NPN三极管、第二NPN三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第一NMOS管； 所述高温补偿电路包括第三NPN三极管、第四NPN三极管、第二电流镜单元以及第三电流镜单元； 所述第一电流镜单元分别与所述第一NPN三极管的集电极、所述第二NPN三极管的集电极、所述第三NPN三极管的集电极以及所述第四NPN三极管的集电极连接，所述第一电流镜单元还与所述第一NMOS管的栅极连接；所述第二NPN三极管的集电极还与所述第三电流镜单元的另一端连接；所述第一NPN三极管的基极、所述第二NPN三极管的基极以及所述第一NMOS管的源极依次连接，所述第一NMOS管的源极还与所述第三电阻的一端连接；所述第三电阻的另一端接地；所述第一NPN三极管的发射极与所述第一电阻的一端连接；所述第一电阻的另一端与所述第二电阻的一端以及所述第二NPN三极管的发射极连接；所述第二电阻的另一端接地；所述第一NMOS管的漏极与直流电压源连接； 所述第三NPN三极管的集电极以及所述第四NPN三极管的集电极与所述带隙基准产生电路连接；所述第三NPN三极管的基极与所述第三NPN三极管的集电极连接；所述第四NPN三极管的基极与所述第四NPN三极管的集电极连接；所述第三NPN三极管的发射极以及所述第四NPN三极管的发射极均与所述第二电流镜单元的一端连接；所述第二电流镜单元的一端与所述第三电流镜单元的一端连接；所述第三电流镜单元的另一端与所述带隙基准产生电路连接； 所述第二电流镜单元用于将所述第三NPN三极管的集电极电流与所述第四NPN三极管的集电极电流相减； 所述第二电流镜单元包括第二NMOS管和第三NMOS管； 所述第二NMOS管的漏极与所述第三NPN三极管的发射极连接；所述第二NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极连接；所述第二NMOS管的栅极还与所述第二NMOS管的漏极连接；所述第三NMOS管的漏极与所述第四NPN三极管的发射极连接；所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的源极均接地； 所述第三电流镜单元用于将所述第二电流镜单元的输出电流按比例镜像到第二NPN三极管的集电极；所述输出电流为所述第三NPN三极管的集电极电流与所述第四NPN三极管的集电极电流的差值； 所述第三电流镜单元包括第四NMOS管和第五NMOS管； 所述第四NMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极连接；所述第四NMOS管的栅极与所述第五NMOS管的栅极连接；所述第四NMOS管的栅极还与所述第四NMOS管的漏极连接；所述第五NMOS管的的漏极与所述第二NPN三极管的集电极连接；所述第四NMOS管的源极和所述第五NMOS管的源极均接地。

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