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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十二研究所申请的专利一种光刻胶的去除方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114879455B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210419158.7，技术领域涉及：G03F7/42；该发明授权一种光刻胶的去除方法是由姜琪;李兴辉;韩攀阳;杜婷;蔡军;冯进军设计研发完成，并于2022-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光刻胶的去除方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光刻胶的去除方法，所述光刻胶是在制作屏蔽结构尖锥阵列场发射电子源过程中形成的，所述屏蔽结构尖锥阵列场发射电子源的屏蔽结构为SiO2Si3N4SiO2的多绝缘层夹层结构，该去除方法主要包括以下步骤：步骤一：将带有光刻胶的基片浸于去胶液中，进行浸泡；步骤二：兆声清洗；步骤三：氧等离子体刻蚀处理。基于屏蔽结构尖锥阵列场发射电子源特有的绝缘层结构，制作空腔必须依赖长时间干法刻蚀，不仅造成了光刻胶的碳化，而且使栅极孔边缘的光刻胶粘附性及硬度增加，传统的去胶工艺均无法顺利去除这种牢固且碳化的光刻胶。本发明针对光刻胶的不同区域采用不同的去胶方法，有效解决了这一问题，同时还能保证光刻胶下层材料的完整与完好。

本发明授权一种光刻胶的去除方法在权利要求书中公布了：1.一种光刻胶的去除方法，所述光刻胶是在制作屏蔽结构尖锥阵列场发射电子源过程中形成的，所述屏蔽结构尖锥阵列场发射电子源的屏蔽结构为SiO2Si3N4SiO2的多绝缘层夹层结构，所述屏蔽结构尖锥阵列场发射电子源的阵列栅极孔区域位于2x2mm区域的中心，直径0.6mm，其余为非阵列金属薄膜区域，阵列栅极孔区域内分布着孔径1-1.2μm的栅极孔阵列，间隔5μm，每个栅极孔下方都包含一个具有崎岖侧壁的绝缘空腔，所述绝缘空腔的上方存在一部分悬空的阵列栅极，所述阵列栅极的厚度为200nm，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一：将带有光刻胶的基片浸于去胶液中，进行浸泡；其中，所述基片倒扣于胶液中，浸泡的时间为8-12h； 步骤二：兆声清洗，所述兆声清洗的条件为：兆声的频率为1MHz，兆声的功率为400W-500W，兆声清洗的时间为15min-25min； 步骤三：氧等离子体刻蚀处理；所述氧等离子体刻蚀处理所用设备为电感耦合反应离子刻蚀机；所述电感耦合反应离子刻蚀机的电感耦合系统和刻蚀射频系统同时开起，所述电感耦合系统的射频电源功率为290W-310W；所述刻蚀射频系统的射频电源功率为190W-210W；所述氧等离子体刻蚀处理是在8Pa-10Pa的工作压强下，处理40s-60s。

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