济南晶正电子科技有限公司郑姗姗获国家专利权
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龙图腾网获悉济南晶正电子科技有限公司申请的专利一种压电复合薄膜黑化的方法及黑化压电复合薄膜获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114883477B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210484597.6,技术领域涉及:H10N30/04;该发明授权一种压电复合薄膜黑化的方法及黑化压电复合薄膜是由郑姗姗;刘金鹏;韩智勇;胡卉;胡文;李真宇;刘亚明设计研发完成,并于2022-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种压电复合薄膜黑化的方法及黑化压电复合薄膜在说明书摘要公布了:本申请公开一种压电复合薄膜黑化的方法及黑化压电复合薄膜,先对所述黑化的压电晶圆进行离子注入,将所述黑化的压电晶圆依次分为余质层、分离层和压电薄膜层;然后将离子注入后的黑化的压电晶圆与所述衬底基板键合,得到键合体;之后在氧气气氛下,对所述键合体进行一次退火处理,得到压电复合薄膜;最后在氢气气氛下,对所述压电复合薄膜进行二次退火处理,使所述压电薄膜层黑化,得到黑化压电复合薄膜。本申请中压电复合薄膜中压电薄膜层经过氢气二次退火处理后,氧空位浓度增加、电阻率减小,实现对压电薄膜层的黑化。
本发明授权一种压电复合薄膜黑化的方法及黑化压电复合薄膜在权利要求书中公布了:1.一种压电复合薄膜黑化的方法,其特征在于,包括: 准备压电晶圆和衬底基板,其中,所述压电晶圆为铌酸锂晶圆或钽酸锂晶圆; 对所述压电晶圆进行离子注入,将所述压电晶圆依次分为余质层、分离层和压电薄膜层; 将离子注入后的压电晶圆与所述衬底基板键合,得到键合体; 对所述键合体进行至少一次交替的白化处理与黑化处理,使所述压电薄膜层黑化,得到黑化压电复合薄膜,其中,所述黑化压电复合薄膜包括依次层叠的衬底基板和黑化的压电薄膜层; 其中,如果所述压电晶圆为未经黑化处理的铌酸锂晶圆或钽酸锂晶圆,则对所述键合体进行第一次黑化处理,对所述第一次黑化处理后的键合体进行2-3次交替的白化处理与黑化处理,使所述压电薄膜层黑化;如果所述压电晶圆为经过黑化处理的铌酸锂晶圆或钽酸锂晶圆,则对所述键合体进行2-3次交替的白化处理与黑化处理,使所述压电薄膜层黑化; 所述白化处理包括:在氧气气氛下,对所述键合体进行一次退火处理,使所述压电薄膜层白化,得到压电复合薄膜,所述压电复合薄膜包括依次层叠的衬底基板和白化的压电薄膜层; 所述黑化处理包括:在氢气气氛下,对所述压电复合薄膜进行二次退火处理,以使氢气与所述压电薄膜层中的氧发生还原反应,在所述压电薄膜层中形成氧空位,使所述白化的压电薄膜层黑化,得到黑化压电复合薄膜,其中,所述黑化压电复合薄膜包括依次层叠的衬底基板和黑化的压电薄膜层。
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