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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975448B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210612427.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体装置是由郑基旭;金桐吾;朴硕汉;尹灿植;李基硕;李昊仁;张燽娟;朴济民;洪镇宇设计研发完成，并于2018-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：衬底，包括单元区、核心区及位于单元区与核心区之间的边界区；边界元件隔离层，位于衬底的边界区中以将单元区与核心区隔开；高介电常数介电层，位于边界元件隔离层的至少一部分及衬底的核心区上；第一逸出功金属图案，包括与边界元件隔离层交叠的第一延伸部，第一逸出功金属图案位于高介电常数介电层上；以及第二逸出功金属图案，包括与边界元件隔离层交叠的第二延伸部，第二逸出功金属图案位于第一逸出功金属图案上，其中第一延伸部在从核心区朝单元区的方向上延伸的第一长度与第二延伸部在从核心区朝单元区的方向上延伸的第二长度不同。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 衬底，包括单元区、核心区及位于所述单元区与所述核心区之间的边界区； 边界元件隔离层，位于所述边界区的所述衬底中，所述边界元件隔离层将所述单元区与所述核心区隔开； 高介电常数介电层，位于所述边界元件隔离层的至少一部分及所述核心区的所述衬底上； 第一导电图案，包括与所述边界元件隔离层交叠的第一延伸部，所述第一导电图案位于所述高介电常数介电层上； 第二导电图案，包括与所述边界元件隔离层交叠的第二延伸部，所述第二导电图案的至少一部分位于所述第一导电图案上； 导电层，延伸到所述边界元件隔离层上，所述导电层的第一部分位于所述第二导电图案上；以及 位线，包括所述单元区上的所述导电层的第二部分， 其中所述高介电常数介电层包括与所述边界元件隔离层交叠的第三延伸部， 所述第一延伸部在从所述核心区朝所述单元区的方向上延伸的第一长度比所述第二延伸部在从所述核心区朝所述单元区的所述方向上延伸的第二长度短， 所述第三延伸部在从所述核心区朝所述单元区的所述方向上延伸的第三长度与所述第一长度相同，且 其中所述边界元件隔离层包括在所述边界元件隔离层中的不与所述第一延伸部到所述第三延伸部交叠的凹陷部。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市灵通区三星路129号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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