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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利WAT测试装置的检测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020285B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210602433.9，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权WAT测试装置的检测方法及系统是由蔡颖;陈彤;毛贵蕴设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本WAT测试装置的检测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种WAT测试装置的检测方法及检测系统，该检测方法包括以下步骤：将多个待测试晶片划分成至少两个批次，并在每个待测试晶片上设置多个检测点，其中每一批次均包括预设数量的待测试晶片；采用待检测WAT测试装置分别对每一个批次的所有待测试晶片进行检测，以获取每一个检测点的第一测试值；针对每一个批次，根据该批次的所有待测试晶片上的所有检测点的第一测试值以及第一阈值和第二阈值，判断该批次是否异常，其中第一阈值小于第二阈值；若连续至少两个批次的判定结果为异常，则判定待检测WAT测试装置存在异常。本发明通过分析不同批次产品的WAT数据并关联WAT测试装置，能够快速、有效地找到异常WAT测试装置，减少对产品的影响。

本发明授权WAT测试装置的检测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种WAT测试装置的检测方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S100：将多个待测试晶片划分成至少两个批次，并在每个所述待测试晶片上设置多个检测点，其中每一批次均包括预设数量的所述待测试晶片； 步骤S200：采用待检测WAT测试装置分别对每一个批次的所有待测试晶片进行检测，以获取每一个所述检测点的第一测试值； 步骤S300：针对每一个批次，根据该批次的所有待测试晶片上的所有检测点的所述第一测试值以及第一阈值和第二阈值，判断该批次是否异常，其中所述第一阈值小于所述第二阈值； 其中，所述第一阈值和所述第二阈值通过以下步骤得到： 获取预设时间段内的所有以往晶片的所有检测点的第二测试值，所述以往晶片与所述待测试晶片的型号相同，所述第二测试值与所述第一测试值为同一类型参数的测试值； 以所述第二测试值为横坐标，以每个所述第二测试值对应的所述检测点的数量为纵坐标，绘制正态分布曲线，将所述正态分布曲线的顶点对应的横坐标数值记为预设值； 计算所有所述第二测试值的标准差，根据所述标准差以及所述预设值，计算所述第一阈值和所述第二阈值，其中，所述第一阈值为所述预设值减去预设倍数的所述标准差，所述第二阈值为所述预设值加上预设倍数的所述标准差； 根据该批次的所有待测试晶片上的所有检测点的所述第一测试值以及所述第一阈值和所述第二阈值，判断该批次是否异常，包括： 根据该批次的所有待测试晶片上的所有检测点的所述第一测试值，计算该批次的平均测试值； 若该批次的平均测试值大于所述第一阈值或小于所述第二阈值，则判定该批次为异常； 步骤S400：若连续至少两个批次的判定结果为异常，则判定所述待检测WAT测试装置存在异常。

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