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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种降低导通电阻的氧化镓肖特基二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020500B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210864499.5，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种降低导通电阻的氧化镓肖特基二极管及其制备方法是由郑雪峰;苑子健;洪悦华;张翔宇;何云龙;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低导通电阻的氧化镓肖特基二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种降低导通电阻的氧化镓肖特基二极管及其制备方法，主要解决现有技术无法制备低损伤的氧化镓衬底材料，无法有效降低器件导通电阻的问题。其自下而上，包括：阴极金属1、氧化镓衬底2、轻掺杂外延层3和阳极金属4，其中，氧化镓衬底2使用49％浓度的氢氟酸和75％～90％浓度的高硫酸钾，以1：1的比例配制成的腐蚀溶液进行湿法腐蚀减薄；阴极金属1采用锯齿状欧姆接触图形结构。本发明将原有650μm的氧化镓衬底材料减薄至200～400μm，并使用减薄后的衬底制备了锯齿状欧姆接触图形结构，从而降低了导通电阻，提高了器件性能，可用于通讯、电力电子、信号处理、航空航天的电子系统。

本发明授权一种降低导通电阻的氧化镓肖特基二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种降低导通电阻的氧化镓肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 1对氧化镓衬底2依次进行丙酮-异丙醇-去离子水清洗； 2通过湿法腐蚀减薄氧化镓衬底2： 2a使用甩胶机在氧化镓衬底2上表面旋涂一层光刻胶作为保护掩膜； 2b使用49%浓度的氢氟酸和75%~90%浓度的高硫酸钾，以1：1的比例配制成腐蚀溶液，将做好保护掩膜的氧化镓衬底2浸泡在该腐蚀溶液中，浸泡8~15小时，腐蚀氧化镓衬底，将650μm的衬底减薄至200~400μm； 3在减薄后的氧化镓衬底2背面制备锯齿状欧姆接触图形： 3a采用光刻技术，使用光刻胶在该氧化镓衬底2的背面形成欧姆光刻图形； 3b设置功率为100W，在氩气氛围下，处理时间为80分钟，压强10mtorr，环境温度为25℃的磁控溅射工艺条件，在氧化镓衬底2欧姆光刻图形上沉积15nm厚的金属铂； 3c使用甩胶机在该氧化镓衬底2的上表面旋涂一层光刻胶作为保护掩膜； 3d使用49%浓度的氢氟酸和75%浓度的高硫酸钾，以1：1的比例配制成腐蚀溶液，将做好保护掩膜的氧化镓衬底2浸泡在该腐蚀溶液中，在紫外光的照射下，通过金属铂催化反应5小时，在氧化镓衬底2下表面形成锯齿状欧姆接触图形； 3e对形成锯齿状欧姆接触图形的氧化镓衬底2依次进行丙酮-异丙醇-去离子水清洗； 4采用氢化物气相外延技术HVPE方法在清洗后的氧化镓衬底2正面进行外延轻掺杂氧化镓外延层3，采用磁控溅射在氧化镓衬底背面沉积欧姆阴极金属1，形成锯齿状欧姆接触结构，并对阴极金属1进行欧姆退火； 5在氧化镓轻掺杂外延层3正面采用光刻工艺形成阳极图案，并根据阳极光刻图案采用电子束蒸发沉积阳极金属4并将阳极光刻图案外的金属材料剥离，完成器件制作。

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