广西飓芯科技有限责任公司付建波获国家专利权
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龙图腾网获悉广西飓芯科技有限责任公司申请的专利一种低比接触电阻率的p型III-V族半导体材料与导电电极欧姆接触的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050825B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110256766.6，技术领域涉及：H10D64/62；该发明授权一种低比接触电阻率的p型III-V族半导体材料与导电电极欧姆接触的制备方法是由付建波;宗华;蒋盛翔设计研发完成，并于2021-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低比接触电阻率的p型III-V族半导体材料与导电电极欧姆接触的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低比接触电阻率的p型III‑V族半导体材料与导电电极欧姆接触的制备方法。该方法使用delta掺杂技术来生长p型IIIV族氮化物半导体材料的Mg高掺接触层，有效的提高了Mg的掺杂浓度，从而提高了接触界面的空穴浓度，使得导电电极与半导体界面的势垒变薄，电子可以通过隧穿效应穿过界面势垒，形成良好的欧姆接触，降低接触电阻，进而降低发热量，提高器件寿命。本发明对降低比接触电阻率有优异的效果，并且具有制备效率高，材料适应性更广泛的特点，从而更具有使用价值。
本发明授权一种低比接触电阻率的p型III-V族半导体材料与导电电极欧姆接触的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低比接触电阻率的p型III-V族半导体材料与导电电极欧姆接触的制备方法，其特征在于，采用delta掺杂技术生长重掺杂接触层；所述delta掺杂技术是在MOCVD生长GaN的过程中，切断Ga源的供给，保持Mg源的供给，使Mg原子大量占据Ga原子的位置，提高原子层的Mg占比，然后再恢复Ga源供给，让晶体继续生长；在小于5nm的厚度范围内Mg的平均掺杂浓度超过1020cm3；所述采用delta掺杂技术生长重掺杂接触层，是在采用MOCVD工艺生长p型III-V族半导体材料的过程中进行一次或多次的delta掺杂操作。
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