买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉成都泰美克晶体技术有限公司申请的专利一种石英谐振器晶片的制作方法及石英谐振器晶片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115051664B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210790483.4，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权一种石英谐振器晶片的制作方法及石英谐振器晶片是由陆旺;郭思琴设计研发完成，并于2022-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种石英谐振器晶片的制作方法及石英谐振器晶片在说明书摘要公布了：本发明涉及谐振器技术领域，尤其涉及一种石英谐振器晶片的制作方法及石英谐振器晶片，该方法包括：在石英晶片的正面刻蚀形成N个第一凹槽，背面刻蚀形成N个第二凹槽，每个第一凹槽和第二凹槽均为上宽下窄结构，每个第二凹槽的第二底端宽度与相对的所第一凹槽的第一底端宽度相等，且第二底端长度大于或等于第一底端长度；从第一底端一端正对第二底端一端的位置刻蚀形成第一通孔，第一通孔长度等于第一底端宽度；从第二底端另一端正对第一底端刻蚀形成第二通孔，第二通孔长度小于第二底端宽度；在第二通孔的目标边缘刻蚀形成浅槽，沿着浅槽折取石英谐振器晶片时，无缺损和多余凸出，提高了器件性能。

本发明授权一种石英谐振器晶片的制作方法及石英谐振器晶片在权利要求书中公布了：1.一种石英谐振器晶片的制作方法，其特征在于，包括： 提供一石英晶片； 在所述石英晶片的正面刻蚀形成N个第一凹槽，对所述石英晶片的背面刻蚀形成N个第二凹槽，所述N个第一凹槽和所述N个第二凹槽分别相对，且每个第一凹槽和每个第二凹槽均为上宽下窄的结构，每个第二凹槽的第二底端宽度与相对的所述第一凹槽的第一底端宽度相等，且第二底端长度大于或等于第一底端长度，第二底端一端与第一底端一端相对，第二底端另一端超出第一底端另一端或者第二底端另一端与第一底端另一端相对，N为正整数； 对每个第一凹槽和相对的第二凹槽来说，从第一底端一端且正对第二底端一端的位置刻蚀至所述背面，形成第一通孔，所述第一通孔长度等于所述第一底端宽度； 从第二底端另一端正对第一底端刻蚀至所述背面，形成第二通孔，所述第二通孔长度小于所述第二底端宽度； 在所述正面的所述第二通孔的目标边缘刻蚀形成浅槽，所述目标边缘为朝向第一底端内部的边缘； 对于每个第一凹槽和相对的第二凹槽来说，在第二底端长度大于第一底端长度时，在所述第一底端另一端位置，位于所述第一底端宽度方向上的两端形成第三通孔和第四通孔，所述第三通孔和所述第四通孔均由第一底端连通至相对的第二底端；或者 在第二底端长度等于第一底端长度时，位于所述第一底端距离所述第二通孔预设距离处的第一底端宽度方向上的两端形成第六通孔和第七通孔，所述第六通孔和第七通孔均由第一底端连通至相对的第二底端；或者 对于每个第一凹槽和相对的第二凹槽来说，在第二底端长度大于第一底端长度时，在所述第一底端另一端位置，位于所述第一底端宽度方向上的中部形成第五通孔，所述第五通孔由所述第一底端连通至相对的第二底端；或者 在第二底端长度等于第一底端长度时，位于所述第一底端距离所述第二通孔预设距离处的第一底端宽度方向的中部形成第八通孔，所述第八通孔由第一底端连通至相对的第二底端； 将每个石英谐振器晶片分别沿各自的所述浅槽进行折片，形成N个石英谐振器晶片。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人成都泰美克晶体技术有限公司，其通讯地址为：610097 四川省成都市高新区天映路136号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。