买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132660B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110319598.0，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由王福喜;王静;崇二敏设计研发完成，并于2021-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：保形覆盖栅极开口的栅介质层和第一功函数材料层，在栅极开口中形成第一功函数材料层后，在所述第一功函数材料层上保形覆盖保护层，在形成覆盖第一区域且露出第二区域的遮挡层的步骤中，所述保护层保护所述第二区域的第一功函数材料层，不易被改性，在去除所述第二区域的所述第一功函数材料层的步骤中，所述第二区域中鳍部顶部的第一功函数材料层和鳍部底部侧壁的第一功函数材料层去除速率易相一致，相应的，第二区域的鳍部顶部不易过快的被暴露，从而在去除所述第二区域的第一功函数材料层后，第二区域的鳍部顶部不易受损，在半导体结构工作时，有利于提高器件性能的均一性，提升半导体结构的可靠性。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括相邻的第一区域和第二区域，所述基底包括衬底、分立于所述衬底上的鳍部、位于所述衬底上且覆盖鳍部部分侧壁的隔离层、位于所述隔离层上横跨所述鳍部的伪栅结构、覆盖所述伪栅结构侧壁的侧墙层，以及覆盖所述侧墙层侧壁且露出所述伪栅结构顶部的层间介质层； 去除所述伪栅结构，在所述层间介质层中形成栅极开口； 保形覆盖所述栅极开口的栅介质层； 在所述栅极开口中，形成保形覆盖所述栅介质层的第一功函数材料层；在所述栅极开口中保形覆盖第一功函数材料层前，形成保形覆盖所述栅极开口的刻蚀停止层，所述刻蚀停止层形成在所述栅介质层上； 在所述第一功函数材料层上保形覆盖保护层，所述保护层保护所述第二区域的第一功函数材料层不易被改性； 形成保护层后，形成覆盖所述第一区域且露出所述第二区域的遮挡层，所述遮挡层上形成有硬掩膜层； 以所述遮挡层为掩膜去除所述第二区域的所述保护层，所述保护层的材料和硬掩膜层的材料相同； 去除所述第二区域的所述保护层后，以所述遮挡层为掩膜去除所述第二区域的所述第一功函数材料层，剩余的所述第一功函数材料层作为第一功函数层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。