镓特半导体科技(上海)有限公司王颖慧获国家专利权
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龙图腾网获悉镓特半导体科技(上海)有限公司申请的专利半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148577B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210252574.2，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法是由王颖慧;罗晓菊;唐金凤设计研发完成，并于2022-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法，包括：提供衬底；将衬底置于氢化物气相外延设备中；向氢化物气相外延设备中通入包括含氮气体及含硅气体，含氮气体与含硅气体反应，以于衬底上形成图形化掩膜层，图形化掩膜层内具有若干个孔隙；停止向氢化物气相外延设备中通入含硅气体，持续向氢化物气相外延设备中通入含氮气体，并向氢化物气相外延设备中通入氯化氢气体，以于孔隙内及图形化掩膜层远离衬底的表面形成氮化镓层。本申请通过向氢化物气相外延设备内通入含氮气体和含硅气体，即可在衬底上形成具有若干个孔隙的图形化掩膜层，无需光刻及刻蚀等工艺步骤，大大简化了工艺流程，提升了生产效率。
本发明授权半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 将所述衬底置于氢化物气相外延设备中；向所述氢化物气相外延设备中通入包括含氮气体及含硅气体，所述含氮气体与所述含硅气体反应，以于所述衬底上形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层内具有若干个孔隙； 形成所述图形化掩膜层后，在同一氢化物气相外延设备中，停止向所述氢化物气相外延设备中通入所述含硅气体，持续向所述氢化物气相外延设备中通入所述含氮气体，并向所述氢化物气相外延设备中通入氯化氢气体，所述氯化氢气体与所述氢化物气相外延设备中的镓反应后与所述含氮气体反应，以于所述孔隙内及所述图形化掩膜层远离所述衬底的表面形成氮化镓层。
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