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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利基于分子动力学的辐照缺陷演化注量率模拟方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115169207B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210762692.8，技术领域涉及：G06F30/25；该发明授权基于分子动力学的辐照缺陷演化注量率模拟方法及系统是由李兴冀;杨剑群;荆宇航;李胡阳;徐晓东设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于分子动力学的辐照缺陷演化注量率模拟方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于分子动力学的辐照缺陷演化注量率模拟方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述方法包括：获取单个入射粒子辐照半导体器件产生的PKA的数量；对所述半导体器件进行网格划分，获取每个网格中所述初PKA的数量，建立与所述网格等大小的仿真体系模型；基于所述仿真体系模型，利用分子动力学方法和动力学蒙特卡罗方法对所述网格进行缺陷演化模拟，并获取所述入射粒子标定注量率下所述网格中的缺陷信息；对所有所述网格中的缺陷信息进行汇总，得到所述半导体器件的综合缺陷信息。本发明结合分子动力学和动力学蒙特卡罗方法，实现在不同注量率下整个半导体器件的缺陷演化过程的模拟计算，且计算逻辑清晰，步骤简单易操作。

本发明授权基于分子动力学的辐照缺陷演化注量率模拟方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于分子动力学的辐照缺陷演化注量率模拟方法，其特征在于，包括： 步骤S1，获取单个入射粒子辐照半导体器件产生的初级碰撞粒子的数量； 步骤S2，对所述半导体器件进行网格划分，获取每个网格中所述初级碰撞粒子的数量； 步骤S3，建立与所述网格等大小的仿真体系模型； 步骤S4，基于所述仿真体系模型，利用分子动力学方法和动力学蒙特卡罗方法对所述网格进行缺陷演化模拟，并获取所述入射粒子标定注量率下所述网格中的缺陷信息； 步骤S5，对所有所述网格中的缺陷信息进行汇总，得到所述半导体器件的综合缺陷信息；所述利用分子动力学方法和动力学蒙特卡罗方法对所述网格进行缺陷演化模拟包括： 步骤S41，利用分子动力学方法对所述初级碰撞粒子在所述半导体器件中的产生过程进行模拟，输出分子动力学时间尺度下的稳态结构； 步骤S42，利用动力学蒙特卡罗方法对所述稳态结构进行模拟，模拟时长为相邻两个批次的所述初级碰撞粒子产生的时间； 重复所述步骤S41和所述步骤S42； 所述相邻两个批次的所述初级碰撞粒子产生的时间为，按照式1和式2获得； 1； 2； 其中，为所述入射粒子标定注射率下所述网格中每秒产生的所述初级碰撞粒子的数量，FR为所述入射粒子的标定注射率，S为与所述入射粒子入射方向垂直的所述网格截面面积，为第i个网格中产生的所述初级碰撞粒子的数量，N为所述入射粒子的总数。

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