西安电子科技大学许晟瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种多槽式金刚石衬底环绕的AlN/GaN异质结及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188809B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110362209.2，技术领域涉及：H10D62/824；该发明授权一种多槽式金刚石衬底环绕的AlN/GaN异质结及其制备方法是由许晟瑞;许文强;张金风;赵颖;王若冰;张雅超;张进成;郝跃设计研发完成，并于2021-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多槽式金刚石衬底环绕的AlN/GaN异质结及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多槽式金刚石衬底环绕的AlNGaN异质结及其制备方法，该异质结包括：具有若干凹槽的金刚石衬底、位于凹槽内的AlN层以及位于金刚石衬底表面的GaN外延层和AlN外延层。本发明提供的多槽式金刚石衬底环绕的AlNGaN异质结采用多槽式的金刚石衬底作为散热材料，极大地增加了器件的散热能力，提高了器件性能；且金刚石衬底化学性质稳定，有利于提高器件的工作寿命。
本发明授权一种多槽式金刚石衬底环绕的AlN/GaN异质结及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多槽式金刚石衬底环绕的AlNGaN异质结，其特征在于，包括：具有若干凹槽的金刚石衬底1、位于所述凹槽内的AlN层2以及位于所述金刚石衬底1表面的GaN外延层3和AlN外延层4； 其中，所述凹槽的截面形状为U型；且单个凹槽的面积为1-4mm2，深度为1-3um； 所述凹槽内的AlN层2上还设有GaN层5；所述GaN层5包括LT-GaN层51以及HT-GaN层52，且所述AlN层2、所述LT-GaN层51以及所述HT-GaN层52的厚度之和与所述凹槽的深度相同；所述LT-GaN层51的生长温度为900℃，反应室压力为20Torr；所述HT-GaN层52的生长温度为1050℃，反应室压力为70Torr。
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