松下知识产权经营株式会社内田修平获国家专利权
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龙图腾网获悉松下知识产权经营株式会社申请的专利活性物质颗粒、电化学元件和它们的制造方法、以及电化学器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115210910B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080094388.X，技术领域涉及：H01M4/58；该发明授权活性物质颗粒、电化学元件和它们的制造方法、以及电化学器件是由内田修平;佐藤吉宣设计研发完成，并于2020-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本活性物质颗粒、电化学元件和它们的制造方法、以及电化学器件在说明书摘要公布了：活性物质颗粒具备：包含硅酸锂相、和分散于前述硅酸锂相内的硅颗粒的硅酸锂复合颗粒；和，覆盖前述硅酸锂复合颗粒表面的至少一部分的第1覆膜，前述第1覆膜包含：除非金属元素以外的第1元素的氧化物和碳原子，将前述第1覆膜的厚度设为T1A时，前述第1覆膜距离前述硅酸锂复合颗粒的表面0.25T1A的位置处的前述第1元素相对于前述碳原子的元素比Rb、与前述第1覆膜距离前述硅酸锂复合颗粒的表面0.75T1A的位置处的前述第1元素相对于前述碳原子的元素比Rt满足RbRt。
本发明授权活性物质颗粒、电化学元件和它们的制造方法、以及电化学器件在权利要求书中公布了：1.一种活性物质颗粒，其具备： 包含硅酸锂相、和分散于所述硅酸锂相内的硅颗粒的硅酸锂复合颗粒；和， 覆盖所述硅酸锂复合颗粒表面的至少一部分的第1覆膜， 所述第1覆膜包含：除非金属元素以外的第1元素的氧化物和碳原子， 将所述第1覆膜的厚度设为T1A时， 所述第1覆膜距离所述硅酸锂复合颗粒的表面0.25T1A的位置处的所述第1元素相对于所述碳原子的元素比Rb、与 所述第1覆膜距离所述硅酸锂复合颗粒的表面0.75T1A的位置处的所述第1元素相对于所述碳原子的元素比Rt满足RbRt， 其中，所述元素比Rb为5以上且99以下，所述元素比Rt为0.01以上且5以下， 所述第1元素包含选自由Al、Ti、Si、Zr、Mg、Nb、Ta、Sn、Ni和Cr组成的组中的至少1种。
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