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龙图腾网获悉广东海拓创新技术有限公司申请的专利一种半导体静电吸盘及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274534B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210888575.6，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权一种半导体静电吸盘及制备方法是由刘斌设计研发完成，并于2022-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体静电吸盘及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体静电吸盘及制备方法，包括底座，底座顶部表面开设有安装孔，底座顶部表面固定安装有吸附层，吸附层表面开设有外环冷却气槽、外环冷却气道、内环冷却气槽和内环冷却气道。本发明通过在电极组A接点和电极组B接点与设备进行通电，随后电极组A和电极组B均为带电状态，电极组A和电极组B均距离吸附层表面具备一点的距离，可在吸附层表面形成静电场，从而达到吸附晶片的效果，由于电极组A接点和电极组B接点分别与电极组A和电极组B电性接触，可直接通过拆卸吸附层整体进行更换，更换过程中电极组A接点和电极组B接点不会发生损伤，进而减少了检修工期，降低静电吸盘的应用成本。

本发明授权一种半导体静电吸盘及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体静电吸盘，包括底座2，其特征在于：所述底座2顶部表面开设有安装孔6，所述底座2顶部表面固定安装有吸附层1，所述吸附层1表面开设有外环冷却气槽4a、外环冷却气道4b、内环冷却气槽3a和内环冷却气道3b，所述外环冷却气槽4a与外环冷却气道4b连通连接，所述内环冷却气槽3a与内环冷却气道3b连通连接，所述外环冷却气道4b位于内环冷却气道3b的外侧，所述吸附层1表面开设有顶升柱孔5，所述吸附层1内部固定安装有电极组300，所述电极组300内部固定安装有电极组A301和电极组B302，所述吸附层1底部表面固定安装有电极组A接点101和电极组B接点102，所述电极组A接点101与电极组A301电性接触，所述电极组B接点102与电极组B302电性接触，所述底座2的底部表面开设有定位销孔7； 所述电极组B302和电极组A301均为环形，电极组B302位于电极组A301的内部，并且电极组B302到电极组A301的间距为80μm； 所述内环冷却气槽3a和外环冷却气槽4a的顶部表面均开设有凹面，所述内环冷却气槽3a和外环冷却气槽4a的端面均开设有圆角。

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