通快光电器件有限公司R·克尔纳获国家专利权
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龙图腾网获悉通快光电器件有限公司申请的专利形成垂直腔面发射激光器的光学孔径的方法和垂直腔面发射激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115298914B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180022775.7，技术领域涉及：H01S5/02；该发明授权形成垂直腔面发射激光器的光学孔径的方法和垂直腔面发射激光器是由R·克尔纳;J·滕佩勒设计研发完成，并于2021-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成垂直腔面发射激光器的光学孔径的方法和垂直腔面发射激光器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种形成垂直腔面发射激光器120的光学孔径24的方法，包括：提供半导体层的层堆叠体，这些半导体层包括中间层，其中中间层包括适合于被氧化的半导体材料；将中间层氧化至氧化宽度，以便在所述中间层中形成被氧化的外部区域和未被氧化的中心区域；去除被氧化的外部区域的至少一部分，使得在已经去除被氧化的外部区域或者被氧化的外部区域的一部分的位置处形成空隙；以及将非导电材料沉积在空隙中。非导电材料使用原子层沉积ALD进行沉积，其中，非导电材料90以比空隙的厚度小的厚度沉积在空隙的壁上。在沉积非导电材料之后，用另外的材料填充空隙的剩余空间。还描述了一种具有光学孔径24的垂直腔面发射激光器120。
本发明授权形成垂直腔面发射激光器的光学孔径的方法和垂直腔面发射激光器在权利要求书中公布了：1.一种形成垂直腔面发射激光器120的光学孔径24的方法，包括： 提供半导体层的层堆叠体40，所述半导体层包括中间层50，其中，所述中间层50包括适合于被氧化的半导体材料， 将所述中间层50氧化至氧化宽度，以便在所述中间层50中形成被氧化的外部区域70和未被氧化的中心区域68， 去除所述被氧化的外部区域70的至少一部分，使得在已经去除所述被氧化的外部区域70或者所述被氧化的外部区域70的一部分的位置处形成空隙78， 将非导电材料90沉积在所述空隙78中，其中，将所述非导电材料90以比所述空隙78的厚度小的厚度沉积在所述空隙78的壁上，以及 在沉积所述非导电材料90之后，用另外的材料填充所述空隙的剩余空间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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