台湾积体电路制造股份有限公司鍾嘉哲获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115310147B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210836531.9，技术领域涉及：G06F21/73；该发明授权半导体装置及其操作方法是由鍾嘉哲;岑家荣;邹亚叡;刘致为设计研发完成，并于2022-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其操作方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置及其操作方法，半导体装置包含物理不可仿制函数单元阵列。物理不可仿制函数单元阵列包含多个位元单元，且响应于挑战输入并基于多个位元单元中的一者的数据状态，产生物理不可仿制函数回应输出。位元单元中的每一者储存一位元数据且包含具有耦接至字元线的控制端子及耦接至源极线的第一端子的晶体管、具有耦接至第一数据线的第一端子及耦接至晶体管的第二端子的第二端子的第一记忆体单元，以及具有耦接至相异于第一数据线的第二数据线的第一端子及在晶体管的第二端子与第一记忆体单元的第二端子耦接的第二端子的第二记忆体单元。
本发明授权半导体装置及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含: 一物理不可仿制函数单元阵列，包含多个位元单元，且用以响应于一挑战输入并基于所述多个位元单元中的一位元单元的一数据状态产生一物理不可仿制函数回应输出， 其中所述多个位元单元中的每一者用以储存一位元数据且包含: 一晶体管，具有耦接至一字元线的一控制端子； 一第一记忆体单元，具有耦接至一第一数据线的一第一端子；以及 一第二记忆体单元，该第二记忆体单元的一第一端子耦接至一第二数据线的一第一端子及一第二端子，该第二数据线相异于该第一数据线，其中该晶体管更具有一第一端子及一第二端子，该晶体管的该第一端子耦接该第一记忆体单元的一第二端子及该第二记忆体单元的一第二端子，该晶体管的该第二端子耦接一源极线，该源极线相异于该第一数据线及该第二数据线， 其中该第一记忆体单元与该第二记忆体单元用以响应于该源极线的一电压位准同时拉升该第一数据线的一电压位准及该第二数据线的一电压位准。
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