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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332410B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210825345.5，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权发光二极管是由杨人龙;张平;张丽明;张玉杰;张中英设计研发完成，并于2022-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管在说明书摘要公布了：本申请公开的发光二极管包括：半导体叠层，所述半导体叠层包括第一半导体层、第二半导体层、以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间设置的有源层；绝缘层，形成在所述透明导电层上，所述绝缘层具有一系列开口；第二电极，形成于所述绝缘层之上，并与所述第二半导体层形成电连接，所述第二电极包括第二焊盘部和第二扩展部；电流阻挡层，设置在所述半导体叠层上，并位于所述第二扩展部之下；其中，所述电流阻挡层包括第一部分和与所述第一部分相邻的第二部分，所述第一部分与所述绝缘层开口在所述半导体叠层的投影方向上具有重叠的面积，所述第一部分与所述第二扩展部的距离为T1，所述第二部分与所述第二扩展部的距离为T2，所述T1大于T2。

本发明授权发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，包括： 半导体叠层，所述半导体叠层包括第一半导体层、第二半导体层、以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间设置的有源层； 电流阻挡层，设置在所述半导体叠层上； 透明导电层，所述透明导电层位于所述电流阻挡层上及或所述第二半导体层上； 绝缘层，形成在所述透明导电层上，所述绝缘层具有一系列开口； 第一电极，包括形成于所述绝缘层之上，并与所述第一半导体层形成电连接； 第二电极，形成于所述绝缘层之上，并与所述第二半导体层形成电连接，所述第二电极包括第二焊盘部和第二扩展部，所述电流阻挡层位于所述第二扩展部之下； 其中，所述电流阻挡层包括第一部分和与所述第一部分相邻的第二部分，所述第一部分与所述绝缘层开口在所述半导体叠层的投影方向上具有重叠的面积，所述第一部分与所述第二扩展部的距离为T1，所述第二部分与所述第二扩展部的距离为T2，所述T1大于T2，所述T1与T2的差值为0.5~15μm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门三安光电有限公司，其通讯地址为：361100 福建省厦门市同安区洪塘镇镇民安大道841-899号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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