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龙图腾网获悉信越化学工业株式会社申请的专利化学增幅型抗蚀剂组成物、空白光掩膜、抗蚀剂图案的形成方法及高分子化合物的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115343911B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210518733.9，技术领域涉及：G03F7/004；该发明授权化学增幅型抗蚀剂组成物、空白光掩膜、抗蚀剂图案的形成方法及高分子化合物的制造方法是由增永惠一;船津显之;小竹正晃;井上直也设计研发完成，并于2022-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本化学增幅型抗蚀剂组成物、空白光掩膜、抗蚀剂图案的形成方法及高分子化合物的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及化学增幅型抗蚀剂组成物、空白光掩膜、抗蚀剂图案的形成方法及高分子化合物的制造方法。本发明课题是为了提供可满足良好的分辨率、图案形状、线边缘粗糙度，同时可抑制会成为掩膜缺陷的原因的显影残渣缺陷的化学增幅型抗蚀剂组成物，以及提供使用该化学增幅型抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案的形成方法。该课题的解决手段为一种化学增幅型抗蚀剂组成物，其特征为含有：A高分子化合物，含有1种或2种以上的重复单元，而且该重复单元中的至少1种以上的重复单元是由2～6聚物的残存寡聚物为1000ppm以下的聚合性单体聚合而成的重复单元。

本发明授权化学增幅型抗蚀剂组成物、空白光掩膜、抗蚀剂图案的形成方法及高分子化合物的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种化学增幅型抗蚀剂组成物，该化学增幅型抗蚀剂组成物为化学增幅负型抗蚀剂组成物，其特征为含有： A高分子化合物，该A成分为含有下述通式A2表示的重复单元A2的高分子化合物，而且该重复单元A2是由2～6聚物的残存寡聚物为1000ppm以下的聚合性单体聚合而成的重复单元； 式中，RA为氢原子、氟原子、甲基或三氟甲基；A1为单键、或碳数1～10的饱和亚烃基，且构成该饱和亚烃基的-CH2-也可被-O-取代；R1分别独立地为卤素原子、也可被卤素原子取代的碳数2～8的饱和烃基羰基氧基、也可被卤素原子取代的碳数1～6的饱和烃基、或也可被卤素原子取代的碳数1～6的饱和烃基氧基；W1为氢原子、或碳数1～10的脂肪族烃基、或也可具有取代基的芳基，且构成该脂肪族烃基的-CH2-也可被-O-、-C＝O-、-O-C＝O-或-C＝O-O-取代；Rx及Ry分别独立地为氢原子、也可被羟基或饱和烃基氧基取代的碳数1～15的饱和烃基或也可具有取代基的芳基；但，Rx及Ry不会同时为氢原子；又，Rx及Ry也可互相键结并和它们所键结的碳原子一起形成环；y为0～2的整数；u为0或1；f为符合0≤f≤5+2y-g的整数；g为1～3的整数。

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