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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种新型高跨导的增强型HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115347045B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211007999.3，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种新型高跨导的增强型HEMT器件及其制备方法是由尹以安;张锡琛设计研发完成，并于2022-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型高跨导的增强型HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种新型高跨导的增强型HEMT器件及其制备方法，其包括，具有第一表面和第二表面的衬底，布置于衬底第一表面的Al组分渐变缓冲层，包含至少两个三维鳍状栅极单元的多重三维鳍状栅极，三维鳍状栅极单元由依次层叠于缓冲层上的异质结沟道层、帽层和栅极金属层构成；源极和漏极分别布置于多重三维鳍状栅极的两侧，位于缓冲层上；衬底电极位于衬底的第二表面；缓冲层、沟道层和帽层构成PNP结构，沿源极指向漏极的方向上，栅极金属还覆盖于三维鳍状栅极的侧壁，本发明的器件结构实现了更好的栅控，同时其跨导数值明显提升。

本发明授权一种新型高跨导的增强型HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种新型高跨导的增强型HEMT器件，其特征在于， 衬底，具有第一表面和第二表面； Al组分渐变的Alx1Iny1Ga1-x1-y1N或Alz1Ga1-z1N缓冲层，布置于所述衬底的第一表面，所述缓冲层的Al组分由衬底指向栅极的方向上线性或非线性减小，其中，0x10.83，0y10.17，0z10.83； 包含至少两个三维鳍状栅极单元的多重三维鳍状栅极，所述三维鳍状栅极单元由依次层叠于所述缓冲层上的异质结沟道层、帽层和栅极金属层构成或者所述三维鳍状栅极单元由设置于所述缓冲层上的异质结沟道层、设置于所述异质结沟道层顶部及侧壁的帽层、设置于帽层顶部及侧壁的栅极金属层构成； 源极和漏极，分别布置于所述多重三维鳍状栅极的两侧，位于所述缓冲层上与缓冲层的表面接触； 衬底电极，位于所述衬底的第二表面，所述衬底电极与所述多重三维鳍状栅极短接在一起； 其中，所述缓冲层、异质结沟道层和帽层构成PNP结构，沿源极指向漏极的方向上，栅极金属还覆盖于所述三维鳍状栅极的侧壁，所述异质结沟道层选用周期性排列的Alz2Ga1-z2NGaN异质结或Alx2Iny2Ga1-x2-y2NGaN异质结，其中，0x20.83，0y20.17，0z20.83，所述异质结的周期数不超过5。

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