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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利形成半导体结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115360137B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210904643.3，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权形成半导体结构的方法是由F.富山;Y.水谷;小川裕之;Y.降幡;J.于;J.卡伊;J.刘;J.阿尔斯梅尔设计研发完成，并于2016-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本形成半导体结构的方法在说明书摘要公布了：公开了一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底之上形成绝缘层和牺牲材料层的至少一个处理中交替堆叠体；形成深沟沟槽；在深沟沟槽的侧壁上形成图案化的绝缘衬垫层；在贯穿存储器层级通孔区域中形成至少一个贯穿存储器层级开口；形成后侧凹部；形成至少一个交替堆叠体；形成位于半导体衬底之上的存储器层级组件；形成穿过存储器层级组件的多个横向伸长的接触通孔结构；以及在块中的贯穿存储器层级通孔区域中形成至少一个贯穿存储器层级通孔结构。

本发明授权形成半导体结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体结构的方法，包括： 在半导体衬底之上形成绝缘层和牺牲材料层的至少一个处理中交替堆叠体； 形成深沟沟槽，所述深沟沟槽包含贯穿存储器层级通孔区域在所述深沟沟槽的外周边内的区域，并且形成穿过至少一个处理中交替堆叠体的后侧接触沟槽； 在所述后侧接触沟槽的侧壁物理地暴露于环境时，在所述深沟沟槽的侧壁上形成图案化的绝缘衬垫层； 在所述贯穿存储器层级通孔区域中形成至少一个贯穿存储器层级开口； 通过穿过所述后侧接触沟槽引入蚀刻剂对于所述绝缘层有选择性地移除所述牺牲材料层，从而形成后侧凹部； 通过穿过所述后侧接触沟槽引入蚀刻剂用导电层填充所述后侧凹部，从而形成至少一个交替堆叠体； 形成位于所述半导体衬底之上的存储器层级组件，所述存储器层级组件包括导电层和绝缘层的第一部分的至少一个交替堆叠体，并且还包括垂直延伸穿过至少一个交替堆叠体的存储器堆叠体结构，其中所述存储器堆叠体结构中的每一个包括存储器膜和垂直半导体沟道； 形成穿过所述存储器层级组件的多个横向伸长的接触通孔结构，其中所述多个横向伸长的接触通孔结构沿着第一水平方向横向延伸，并且将所述至少一个交替堆叠体横向分为所述存储器层级组件内的横向间隔开的多个块；以及 在块中的所述贯穿存储器层级通孔区域中形成至少一个贯穿存储器层级通孔结构，其中所述贯穿存储器层级通孔区域位于一对横向伸长的接触通孔结构之间且位于在所述块中的两组存储器堆叠体结构之间并且包含贯穿存储器层级通孔结构，其中所述至少一个贯穿存储器层级通孔结构中的每一个垂直延伸穿过所述存储器层级组件。

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