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龙图腾网获悉北京量子信息科学研究院申请的专利真随机数发生器及产生真随机数的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411178B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211011819.9，技术领域涉及：H10N52/00；该发明授权真随机数发生器及产生真随机数的方法是由曹易;任睿智;王超设计研发完成，并于2022-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本真随机数发生器及产生真随机数的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种真随机数发生器及产生真随机数的方法。其中真随机数发生器的随机数发生模块包括：自旋流生成层和并列设置在自旋流生成层上的两个磁隧道结。自旋流生成层两端分别设有用于通入第一电流的第一电极和第二电极。两个磁隧道结均包括依次堆叠的自由层、绝缘层、参考层、钉扎层和盖帽层。两个磁隧道结的自由层被配置为磁场初始化后能够具有相反的磁化方向。两个磁隧道结之间的间距被配置为能够使得其自由层产生反铁磁耦合。两个磁隧道结中的一个的盖帽层和第一电极用于通入第二电流。本发明通过设计自由层的反铁磁耦合来降低杂散磁场对随机性的影响，可有效提高基于自旋轨道矩效应的真随机数发生器的随机性。

本发明授权真随机数发生器及产生真随机数的方法在权利要求书中公布了：1.一种真随机数发生器，其特征在于，包括随机数发生模块，其中所述随机数发生模块包括： 自旋流生成层，两端分别设有第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极用于通入第一电流； 第一磁隧道结，位于所述自旋流生成层上，包括依次堆叠的第一自由层、第一绝缘层、第一参考层、第一钉扎层和第一盖帽层；以及 第二磁隧道结，位于所述自旋流生成层上，包括依次堆叠的第二自由层、第二绝缘层、第二参考层、第二钉扎层和第二盖帽层； 其中，所述第一自由层和所述第二自由层被配置为磁场初始化后能够具有相反的磁化方向； 所述第一磁隧道结和所述第二磁隧道结并列设置，并具有间距，所述间距被配置为能够使得所述第一自由层和所述第二自由层产生反铁磁耦合，所述反铁磁耦合用于抵消外界杂散磁场对所述第一自由层和所述第二自由层磁矩随机翻转平衡性的干扰； 其中，所述第一电极和所述第一盖帽层用于通入第二电流，或所述第一电极和所述第二盖帽层用于通入所述第二电流。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京量子信息科学研究院，其通讯地址为：100193 北京市海淀区中关村软件园二期国际与区域协同创新中心A座；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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