意法半导体(克洛尔2)公司P·古劳德获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(克洛尔2)公司申请的专利相变存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411180B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210592715.5，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权相变存储器是由P·古劳德;L·法韦内克设计研发完成，并于2022-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本相变存储器在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及相变存储器。存储器单元由以下制造：a形成包括由相变材料制成的第一层和由导电材料制成的第二层的堆叠；b在堆叠上形成仅覆盖存储器单元位置的掩模；以及c蚀刻堆叠的、未被第一掩模覆盖的部分。仅覆盖存储器单元位置的掩模的形成包括针对存储器单元位置的每排限定在排方向上延伸的第一掩模，并且接着针对存储器单元位置的每列在列方向上图案化第一掩模。
本发明授权相变存储器在权利要求书中公布了：1.一种用于制造存储器单元的方法，包括： a形成包括由相变材料制成的第一层和由导电材料制成的第二层的堆叠； b在所述堆叠上形成第一掩模，所述第一掩模仅覆盖所述存储器单元的位置；以及 c蚀刻所述堆叠的、未被所述第一掩模覆盖的部分； 其中步骤b包括： 在所述堆叠上沉积由与所述第一掩模相同的材料制成的第四层； 形成第二掩模，所述第二掩模在第一方向上延伸，并且覆盖所述存储器单元的位置； 蚀刻所述第四层的、未被所述第二掩模覆盖的部分； 形成第三掩模，所述第三掩模在第二方向上延伸，并且覆盖所述存储器单元的位置；以及 蚀刻所述第四层的、未被所述第三掩模覆盖的部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(克洛尔2)公司，其通讯地址为：法国克洛尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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