苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利Ⅲ族氮化物结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115461841B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080097533.X，技术领域涉及：H01L21/20；该发明授权Ⅲ族氮化物结构及其制作方法是由程凯;刘慰华设计研发完成，并于2020-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本Ⅲ族氮化物结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种Ⅲ族氮化物结构及其制作方法，制作方法中，先以图形化的第一掩膜层为掩膜，对第一Ⅲ族氮化物外延层刻蚀形成凹槽；再至少在凹槽的底壁形成第二掩膜层，以第二掩膜层为掩膜，对第一Ⅲ族氮化物外延层进行第一次外延生长，以横向生长形成填满凹槽的第二Ⅲ族氮化物外延层；之后对第二Ⅲ族氮化物外延层进行第二次外延生长，以在第二Ⅲ族氮化物外延层以及图形化的第一掩膜层上生长形成第三Ⅲ族氮化物外延层。由于第一Ⅲ族氮化物外延层的位错主要为在厚度方向延伸的位错，因而生长方向为横向生长的第一次外延生长可以阻断位错继续向上延伸，从而可以显著降低第二Ⅲ族氮化物外延层以及第三Ⅲ族氮化物外延层的位错密度。
本发明授权Ⅲ族氮化物结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种Ⅲ族氮化物结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供第一Ⅲ族氮化物外延层11；在所述第一Ⅲ族氮化物外延层11上形成图形化的第一掩膜层12；以所述图形化的第一掩膜层12为掩膜，刻蚀所述第一Ⅲ族氮化物外延层11形成凹槽11a；其中，所述图形化的第一掩膜层12在所述凹槽11a处具有悬空区段； 至少在所述凹槽11a的底壁形成第二掩膜层13；以所述第二掩膜层13为掩膜，对所述第一Ⅲ族氮化物外延层11进行第一次外延生长，以在所述悬空区段下方横向外延生长形成第二Ⅲ族氮化物外延层14，所述第二Ⅲ族氮化物外延层14填满所述凹槽11a； 对所述第二Ⅲ族氮化物外延层14进行第二次外延生长，以在所述第二Ⅲ族氮化物外延层14以及所述图形化的第一掩膜层12上生长形成第三Ⅲ族氮化物外延层15。
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