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龙图腾网获悉原子能和替代能源委员会申请的专利用于在CdHgTe衬底中制造低噪声光电检测装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115516646B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180034195.X，技术领域涉及：H10F77/123；该发明授权用于在CdHgTe衬底中制造低噪声光电检测装置的方法是由弗朗索瓦·博拉德;让-保罗·查莫纳尔;克莱门特·洛布里;弗洛伦特·罗切特设计研发完成，并于2021-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于在CdHgTe衬底中制造低噪声光电检测装置的方法在说明书摘要公布了：一种光电检测装置的制造方法，包括以下步骤：在CdxHg1‑xTe的衬底110上制作富镉结构化涂层122，并使用第一蚀刻掩膜；进行蚀刻以扩大第一蚀刻掩膜的通孔或扩大用结构化涂层蚀刻的中间层的通孔，从而形成第二蚀刻掩膜；贯穿第二蚀刻掩膜150，将受体掺杂元素注入衬底110中，并激活和扩散受体掺杂元素以在半导体衬底中形成至少一个P掺杂区；执行镉的选择性互扩散退火，从而在每个P掺杂区中形成具有镉浓度横向梯度的富镉浓缩阱；以及在结构化涂层122中的每个通孔121处制作至少一个电接触垫171。

本发明授权用于在CdHgTe衬底中制造低噪声光电检测装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造光电检测装置100的方法，包括以下步骤： a在CdxHg1-xTe的半导体衬底110，210，310上沉积源涂层120，所述源涂层至少包括一个富镉层，所述富镉层具有比所述半导体衬底更高的镉平均浓度，所述富镉层与所述半导体衬底的上表面111,311直接物理接触； b生成第一蚀刻掩膜140，240，所述第一蚀刻掩膜叠加在所述源涂层上，所述源涂层在与所述半导体衬底相对的一侧上； c第一蚀刻步骤：贯穿所述第一蚀刻掩膜来蚀刻所述源涂层，从而在所述源涂层中形成至少一个第一通孔121，与至少一个第一通孔配合的所述源涂层被称为结构化涂层122，222，422； d第二蚀刻步骤：在完成所述第一蚀刻步骤后，在所述结构化涂层122，222顶部的结构140，290中扩大至少一个第二通孔141，291，并由此形成第二蚀刻掩膜150，250，450； e贯穿所述第二蚀刻掩膜150，250，450中的通孔151，将受体掺杂元素注入所述半导体衬底110，210，310中，所述受体掺杂元素局部地穿过所述结构化涂层； f激活和扩散所述受体掺杂元素，以在所述半导体衬底中形成至少一个P掺杂区160； g在步骤f之后或至少部分地与步骤f同时实施镉的选择性互扩散退火，镉原子在此期间从所述结构化涂层向所述至少一个P掺杂区扩散，从而在每个P掺杂区中形成具有至少一个中间间隙区域181和至少一个高间隙区域182的浓缩阱180，所述中间间隙区域的镉的平均浓度严格低于所述高间隙区域中镉的平均浓度；以及 h在所述结构化涂层中的所述至少一个第一通孔处沉积与所述半导体衬底110，210，310接触的金属层170，以形成至少一个电接触垫171。

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