长江存储科技有限责任公司赵祥辉获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种3D存储器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115565943B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211174498.4，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种3D存储器件及其制备方法是由赵祥辉设计研发完成，并于2022-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种3D存储器件及其制备方法在说明书摘要公布了：公开了一种3D存储器件及其制备方法，包括：形成具有多个台阶的绝缘叠层结构，所述绝缘叠层结构包括交替堆叠的牺牲层和层间绝缘层，每层所述台阶的顶面为所述层间绝缘层；去除所述层间绝缘层在所述台阶的顶面所显露的至少一部分，以暴露出所述台阶中的所述牺牲层；将同一层中暴露出的所述牺牲层与未暴露出的所述牺牲层断开，形成阻挡部；形成覆盖所述台阶的介质层；将所述牺牲层替换为栅极导体层以形成栅叠层结构；在所述台阶上形成与所述栅极导体层连通的导电通道，所述导电通道穿过对应的所述栅极导体层上的所述层间绝缘层及所述阻挡部。本公开用绝缘叠层结构来作为刻蚀停止层，降低了刻蚀的难度，提高了器件的可靠性。
本发明授权一种3D存储器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种3D存储器件的制备方法，包括： 形成具有多个台阶的绝缘叠层结构，所述绝缘叠层结构包括交替堆叠的牺牲层和层间绝缘层，每层所述台阶的顶面为所述层间绝缘层； 去除所述层间绝缘层在所述台阶的顶面所显露的至少一部分，以暴露出所述台阶中的所述牺牲层； 将同一层中暴露出的所述牺牲层与未暴露出的所述牺牲层断开，形成阻挡部； 形成覆盖所述台阶的介质层； 将未暴露出的所述牺牲层替换为栅极导体层以形成栅叠层结构； 在所述台阶上形成与所述栅极导体层连通的导电通道，所述导电通道穿过对应的所述栅极导体层上的所述层间绝缘层及所述阻挡部。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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