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龙图腾网获悉深圳市泰德半导体有限公司申请的专利一种电流镜型等效电容提升电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115599162B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211127307.9，技术领域涉及：G05F3/26；该发明授权一种电流镜型等效电容提升电路是由刘仕强;贺策林;孙洪涛;李逸康;甄少伟设计研发完成，并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电流镜型等效电容提升电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电流镜型等效电容提升电路，其中电流镜单元包括N1节点、N2节点、N3节点和N4节点，其中N1节点、N2节点分别通过第一电阻、第二电阻接地，N3节点和N4节点分别与第一电流源、第二电流源连接，电容的第一极板与信号端连接，电容的第二极板与N1节点连接，等效MOS管的漏极与信号端连接，等效MOS管的源极与N2节点连接，等效MOS管的栅极与N3节点连接。通过电流镜单元、电容以及等效MOS管，形成电流镜型等效电容提升电路，可实现小电容的倍增，即在电路中使用较小的面积，获得和传统工艺中占用更大面积相同的等效电容，同时具有结构简单、生产成本低的优势。

本发明授权一种电流镜型等效电容提升电路在权利要求书中公布了：1.一种电流镜型等效电容提升电路，其特征在于，包括电容、等效MOS管、信号端和电流镜单元，所述电流镜单元包括N1节点、N2节点、N3节点和N4节点，所述N1节点、N2节点分别通过第一电阻、第二电阻接地，所述第一电阻阻值大于第二电阻阻值，所述N3节点和N4节点分别与第一电流源、第二电流源连接，所述第一电流源的电流值小于第二电流源的电流值，所述电容的第一极板与信号端连接，所述电容的第二极板与N1节点连接，所述等效MOS管的漏极与信号端连接，所述等效MOS管的源极与N2节点连接，所述等效MOS管的栅极与N3节点连接； 所述电流镜单元还包括互为镜像的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的集电极与所述N3节点连接，所述第一晶体管的发射极与N1节点连接，第二晶体管的集电极与所述N4节点连接，所述第二晶体管的发射极与N2节点连接，第一晶体管的基极与第二晶体管的基极连接，并与所述N4节点连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市泰德半导体有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区南山街道登良社区粤海路5号粤海工业村3.4栋3栋-408(深圳动漫园)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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