武汉新芯集成电路制造有限公司叶国梁获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路制造有限公司申请的专利芯片封装方法及半导体封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621230B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211184755.2，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权芯片封装方法及半导体封装结构是由叶国梁;周俊;占琼;胡胜;赵常宝设计研发完成，并于2022-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装方法及半导体封装结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种芯片封装方法及一种半导体封装结构。所述芯片封装方法将至少一个有效芯片和至少一个深沟槽电容芯片分别与第一器件基板的一侧表面键合，其中，通过键合，所述有效芯片与所述第一器件基板上的电子元器件电连接，所述深沟槽电容芯片使第一器件基板上有效芯片键合区域之外的表面得到充分利用，有助于增大半导体封装结构的集成密度，能够提升其电容密度，改善高频信号稳定性，有助于提升半导体封装结构的性能。所述半导体封装结构可采用上述芯片封装方法形成。
本发明授权芯片封装方法及半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装方法，其特征在于，包括： 提供第一器件基板，所述第一器件基板上形成有电子元器件，所述第一器件基板表面形成有至少一个深沟槽电容器； 将至少一个有效芯片和至少一个深沟槽电容芯片分别与所述第一器件基板的一侧表面键合，其中，通过键合，所述有效芯片与所述第一器件基板上的电子元器件电连接，至少部分数量的所述深沟槽电容芯片键合至所述深沟槽电容器，并且与相应的所述深沟槽电容器并联连接，至少一个所述有效芯片与所述深沟槽电容芯片为不同类型芯片，所述深沟槽电容芯片布置在所述第一器件基板表面的被所述有效芯片暴露的区域；以及 在所述有效芯片和所述深沟槽电容芯片之间形成填充材料，利用平坦化工艺去除所述有效芯片和所述深沟槽电容芯片上方多余的填充材料。
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