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龙图腾网获悉电子科技大学长三角研究院(湖州)申请的专利W掺杂对硒氧化铋热电性能影响的测定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115662542B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211220111.4，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权W掺杂对硒氧化铋热电性能影响的测定方法是由肖海燕;李步达;李梦璐设计研发完成，并于2022-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本W掺杂对硒氧化铋热电性能影响的测定方法在说明书摘要公布了：本发明属于热电材料技术领域，公开了一种W掺杂对Bi2O2Se热电性能影响的测定方法及系统，对理想环境下的材料进行几何结构优化，获得优化后的晶胞结构；基于扩胞后优化的结构作为初始结构，利用W原子替代Bi位置的原子，得到掺杂浓度为2.5％的Bi1.975W0.025O2Se的结构模型，再进行结构优化；采用BoltzTraP程序进行电子输运性质的计算，获得塞贝克系数和电导率弛豫时间。本发明的W掺杂对Bi2O2Se热电性能影响的测定方法不涉及具体的实验过程，但是最终的计算结果却可以为相关的实验提供理论指导。本发明计算过程基于第一性原理方法，相关的理论方法已经相当完备，因此该计算结果具有可靠性。

本发明授权W掺杂对硒氧化铋热电性能影响的测定方法在权利要求书中公布了：1.一种W掺杂对Bi2O2Se热电性能影响的测定方法，其特征在于，所述W掺杂对Bi2O2Se热电性能影响的测定方法包括： 对材料进行几何结构优化，获得优化后的晶胞结构；利用W原子替代Bi位置的原子，得到Bi1.975W0.025O2Se的结构模型，再进行结构优化；采用BoltzTraP程序进行电子输运性质的计算，获得塞贝克系数和电导率弛豫时间； 所述W掺杂对Bi2O2Se热电性能影响的测定方法包括以下步骤： 步骤一，对理想环境下的材料进行几何结构优化，获得优化后的晶胞结构； 步骤二，基于步骤一中优化的理想态结构作为初始结构，进行W掺杂后再进行结构优化，获得优化后的模型； 步骤三，基于步骤一和步骤二所得到的优化结构进行材料的电子自洽计算，从而获得材料的电子输运性质； 步骤四，基于步骤三得到的电子输运性质的结果，估算W掺杂前后Bi2O2Se的功率因子； 所述步骤一中的对理想环境下的材料进行几何结构优化，获得优化后的晶胞结构包括： 1在建模软件中，根据实验文献中Bi2O2Se的晶格常数和原子坐标，构建Bi2O2Se的初始单胞结构模型； 2进行K点和动能截断值的测试，确定计算过程中所需的K点和动能截断值； 3基于步骤2中确定的参数，对步骤1中的初始结构进行高精度结构优化，优化晶胞的体积及内部原子坐标，并采用广义梯度近似下的PBE泛函描述电子间的交换相关作用； 4基于步骤3中所得到的结构，按照2×2×1的方式进行扩胞，扩胞后的结构含有40个原子，并对扩胞后的结构进行高精度优化。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学长三角研究院(湖州)，其通讯地址为：313000 浙江省湖州市西塞山路819号科技创新综合体B1幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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