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龙图腾网获悉江苏庆延微电子有限公司申请的专利具有回扫特征静电防护机构关键参数的测试装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115712048B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211423030.4，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权具有回扫特征静电防护机构关键参数的测试装置和方法是由杨帆;姜一波;吴瑕;彭鑫设计研发完成，并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有回扫特征静电防护机构关键参数的测试装置和方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有回扫特征静电防护机构关键参数的测试装置和方法。Pwell区域、Nc缓变电容区域、Nr电阻区域、重掺杂N++、重掺杂N++、Psw区域、反型氧化层上电极以及金属连接一同构成的具有回扫特征静电防护机构关键参数的测试装置的主体。本发明克服了最小回穿电压和最小维持电流不易直接测量的缺陷，能够直接测量出具有回扫特征静电防护机构的最小回穿电压和最小维持电流；摆脱了对中高端的功率半导体扫描仪和TLP测试系统的依赖，所用测试设备为常见基础设备而非昂贵复杂的测试设备；测试过程中电压电流变化都较为平缓，避免了dvdt、电感冲击等的影响，测量结果稳定，测量的一致重复性好。

本发明授权具有回扫特征静电防护机构关键参数的测试装置和方法在权利要求书中公布了：1.具有回扫特征静电防护机构关键参数的测试装置，其特征在于： 第一Pwell区域、Nc缓变电容区域、Nr电阻区域、第一重掺杂N++、第二重掺杂N++、Psw区域、反型氧化层上电极以及金属连接一同构成的具有回扫特征静电防护机构关键参数的测试装置的主体，即附加测试模块；第二Pwell区域通过重掺杂构成被测试静电防护机构，具体为，第二Pwell区域、重掺杂N++、重掺杂P++、MOSFET栅极构成被测试的硅基MOSFET类静电防护机构，或者第二Pwell区域、Nwell区域、重掺杂N++、重掺杂P++构成被测试的硅基可控硅类静电防护机构； 所述Nc缓变电容区域、Nr电阻区域设置于第一Pwell区域，所述第一重掺杂N++设置于Nc缓变电容区域，所述第二重掺杂N++设置于Nr电阻区域，所述Psw区域与Nr电阻区域和第二Pwell区域相接，反型氧化层上电极在预定电压下能够在Psw区域中形成反型氧化层，反型氧化层上电极与Psw区域无电学连接，而与第二重掺杂N++通过金属连接相连。

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