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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利等离子残胶去除装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763207B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211425591.8，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权等离子残胶去除装置是由邱勇设计研发完成，并于2022-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本等离子残胶去除装置在说明书摘要公布了：本说明书实施例提供一种等离子残胶去除装置，包括射频匹配器、远程离子源、相互连接的屏蔽罩和工艺腔体，工艺腔体的上部设置有匀气盘，匀气盘与工艺腔体之间绝缘，工艺腔体内部对应匀气盘的下部内壁连接有晶圆载台，其中，匀气盘、晶圆载台、屏蔽罩和工艺腔体均由金属良导体制成；在去除光刻胶残胶的工艺中，匀气盘被配置成电连接射频匹配器的射频高压，晶圆载台被配置成与屏蔽罩、工艺腔体共同射频接地，以使被远程离子源激发的等离子体在直流偏压作用下，轰击晶圆载台上的晶圆去除残胶。该等离子残胶去除装置仅采用一套射频匹配器，即可执行以往需要使用两套射频匹配器才能执行的去除残胶的工作，简化了设备结构、降低了设备成本。

本发明授权等离子残胶去除装置在权利要求书中公布了：1.一种等离子残胶去除装置，其特征在于，包括射频匹配器、远程离子源、相互连接的屏蔽罩和工艺腔体； 所述工艺腔体的上部设置有匀气盘，所述匀气盘与所述工艺腔体之间绝缘，所述工艺腔体内部对应所述匀气盘的下部内壁连接有晶圆载台； 在去除光刻胶残胶的工艺中，所述匀气盘被配置成电连接所述射频匹配器的射频高压，所述晶圆载台被配置成与所述屏蔽罩、所述工艺腔体共同射频接地，以使被所述远程离子源激发的等离子体在直流偏压作用下，轰击所述晶圆载台承载的晶圆，去除所述晶圆上的残胶； 其中，所述匀气盘、所述晶圆载台、所述屏蔽罩和所述工艺腔体均由金属良导体制成； 所述远程离子源的包括绝缘介质管、套设在所述绝缘介质管外侧的线圈以及连接所述绝缘介质管的气体缓冲区罩； 所述气体缓冲区罩的下侧边缘连接所述匀气盘的上侧边缘； 所述线圈的第一端电连接所述射频匹配器的输出端，其第二端电连接所述气体缓冲区罩；或，所述线圈的第一端和所述气体缓冲区罩并联所述射频匹配器的输出端，所述线圈的第二端射频接地； 其中，所述气体缓冲区罩由金属良导体制成。

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