上海鼎泰匠芯科技有限公司贾金兰获国家专利权
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龙图腾网获悉上海鼎泰匠芯科技有限公司申请的专利半导体结构制备方法、装置及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763238B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211696274.X，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权半导体结构制备方法、装置及半导体结构是由贾金兰;朱沂;缪鏖泽;李春山;向怡;邬瑞彬设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构制备方法、装置及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构制备方法、装置及半导体结构，半导体结构制备方法包括根据初始晶圆内芯片上第一沟槽的预设参数，按照预设规则控制第一半导体机台在初始晶圆上形成第二沟槽，使得初始晶圆的翘曲朝向同一方向；第二沟槽的延伸方向与第一沟槽的延伸方向垂直；获取初始晶圆的翘曲度，在翘曲度大于或等于翘曲阈值的情况下，根据初始晶圆的翘曲状态和翘曲度确定初始应力组合；根据初始应力组合控制第二半导体机台在初始晶圆上形成目标层，目标层用于向初始晶圆提供目标应力组合，目标应力组合至少部分抵消初始晶圆的翘曲应力。通过互相垂直的第一沟槽及第二沟槽将初始晶圆的翘曲朝向同一方向，将翘曲问题简单化。
本发明授权半导体结构制备方法、装置及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构制备方法，其特征在于，包括： 根据初始晶圆内芯片上第一沟槽的预设参数，按照预设规则控制第一半导体机台在所述初始晶圆上形成第二沟槽，所述第二沟槽导致所述初始晶圆沿着所述第二沟槽延伸的方向卷曲，使得所述初始晶圆的翘曲朝向同一方向；所述第二沟槽的延伸方向与所述第一沟槽的延伸方向垂直； 获取所述初始晶圆的翘曲度，在所述翘曲度大于或等于翘曲阈值的情况下，根据所述初始晶圆的翘曲状态和翘曲度确定初始应力组合； 根据所述初始应力组合控制第二半导体机台在所述初始晶圆上形成目标层，所述目标层用于向所述初始晶圆提供目标应力组合，所述目标应力组合至少部分抵消所述初始晶圆的翘曲应力。
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