上海擎茂微电子科技有限公司王海军获国家专利权
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龙图腾网获悉上海擎茂微电子科技有限公司申请的专利IGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115832031B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211434920.5，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权IGBT器件是由王海军;吴小利设计研发完成，并于2022-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本IGBT器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种IGBT器件包括：多个第一沟槽栅，包括填充于第一栅极沟槽中的第一栅介质层和第一栅极导电材料层，第一栅极导电材料层连接到栅极。在版图结构上，各第一栅极沟槽平行排列。在至少一条第一栅极沟槽上设置有米勒电容连续调节结构，包括：第二沟槽栅，第二沟槽栅包括填充于第二栅极沟槽中的第二栅介质层和第二栅极导电材料层。第二栅极沟槽和对应的第一栅极沟槽相交，第二和第一栅极沟槽相连通，第二和第一栅极导电材料层电连接；利用第二和第一栅极沟槽相交的特点，第二栅极沟槽的长度、间距和数量都独立于第一栅极沟槽，通过调节第二栅极沟槽的长度、间距或数量调节米勒电容并实现米勒电容的连续调节，以实现对芯片性能进行更精细控制。
本发明授权IGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种IGBT器件，其特征在于，包括： 多个第一沟槽栅，所述第一沟槽栅包括填充于第一栅极沟槽中的第一栅介质层和第一栅极导电材料层，所述第一栅极导电材料层连接到由正面金属层组成的栅极； 在版图结构上，各所述第一栅极沟槽平行排列； 在至少一条所述第一栅极沟槽上设置有米勒电容连续调节结构； 所述米勒电容连续调节结构包括： 第二沟槽栅，所述第二沟槽栅包括填充于第二栅极沟槽中的第二栅介质层和第二栅极导电材料层； 所述第二栅极沟槽和对应的所述第一栅极沟槽相交，所述第二栅极沟槽和所述第一栅极沟槽相连通，所述第二栅极导电材料层和所述第一栅极导电材料层电连接； 利用所述第二栅极沟槽和所述第一栅极沟槽相交的特点，所述第二栅极沟槽的长度、间距和数量都独立于所述第一栅极沟槽，通过调节所述第二栅极沟槽的长度、间距或数量调节米勒电容并实现所述米勒电容的连续调节。
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