长鑫存储技术有限公司卢宗正获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115842011B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211100193.9，技术领域涉及：H01L25/065；该发明授权封装结构及其制造方法是由卢宗正;王彦武设计研发完成，并于2022-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种封装结构及其制造方法，其中，封装结构包括：堆叠件，堆叠件包括多个层叠的半导体器件；多个电连接部，电连接部位于堆叠件的一侧，且每一电连接部与相应的两个半导体器件电连接多条导线，每一所述线连接一电连接部和至少两个半导体器件；其中，每一导线包括公用部以及与公用部一端连接的至少两个连接部，公用部的另一端连接到电连接部，每一连接部分别连接到相应的半导体器件。至少可以解决封装结构中存在的stub效应引起的反射问题以及时延较大的问题。
本发明授权封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，包括： 堆叠件，所述堆叠件包括多个层叠的半导体器件； 多个电连接部，所述电连接部位于所述堆叠件的一侧，且每一所述电连接部与相应的两个所述半导体器件电连接； 多条导线，每一所述导线连接一所述电连接部和至少两个所述半导体器件；其中，每一所述导线包括公用部以及与所述公用部一端连接的至少两个连接部，所述公用部的另一端连接到所述电连接部，每一所述连接部分别连接到相应的所述半导体器件的焊盘上； 基板，所述电连接部以及所述堆叠件均位于所述基板表面上； 所述导线包括两个所述连接部；所述电连接部与所述公用部和所述连接部的连接点的连线与所述基板的夹角为第一夹角，所述公用部与所述连接部的连接点与连接的两个所述半导体器件上的所述焊盘的连线的夹角为第二夹角； 所述第二夹角小于所述第一夹角，所述第二夹角小于90°。
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