上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司屈钰获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请的专利一种硅通孔截面样品及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115855602B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211707336.2，技术领域涉及：G01N1/28；该发明授权一种硅通孔截面样品及其制作方法是由屈钰;朱子轩;叶红波;吴大海;苟元华设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅通孔截面样品及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体领域，公开了一种硅通孔截面样品制作方法，包括：利用离子研磨仪研磨预制样品的第一表面，并确定离子研磨仪对预制样品的研磨速率；预制样品包括硅通孔；根据硅通孔距离研磨后第一表面的距离和研磨速率，确定目标研磨时间；按照研磨速率及目标研磨时间研磨研磨后第一表面，得到硅通孔截面样品。本申请通过离子研磨仪研磨预制样品，通过牺牲部分样品确定离子研磨仪对预制样品的研磨速率，并确定出再次研磨所需时间，实现截面样品的高精度定位，并且可以提升制作速率。离子研磨仪还可以降低研磨表面的损伤，提高硅通孔截面样品的成功率，同时还适用于高深宽比的小孔径硅通孔截面样品的制备，得到大面积的截面样品。
本发明授权一种硅通孔截面样品及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种硅通孔截面样品制作方法，其特征在于，包括： 利用离子研磨仪研磨预制样品的第一表面，并确定所述离子研磨仪对所述预制样品的研磨速率；其中，所述预制样品包括硅通孔； 根据所述硅通孔距离研磨后第一表面的距离和所述研磨速率，确定目标研磨时间； 按照所述研磨速率及所述目标研磨时间研磨所述研磨后第一表面，得到硅通孔截面样品； 确定所述离子研磨仪对所述预制样品的研磨速率包括： 确定所述第一表面与所述硅通孔的初始距离； 确定所述研磨后第一表面与所述硅通孔的距离； 根据所述初始距离与所述距离的差值、初次研磨时间，确定所述研磨速率；所述初次研磨时间为离子研磨仪研磨预制样品的第一表面的时间；初次研磨研磨掉的厚度小于硅通孔与第一表面的初始距离。
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