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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种串联磁路自漏磁型可变磁通记忆电机获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115864771B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211555044.1，技术领域涉及：H02K21/02；该发明授权一种串联磁路自漏磁型可变磁通记忆电机是由林鹤云;曾现现;赵西方;仲宇翔设计研发完成，并于2022-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种串联磁路自漏磁型可变磁通记忆电机在说明书摘要公布了：本发明公开了一种串联磁路自漏磁型可变磁通记忆电机，涉及电机技术领域。本发明包括定子、转子和绕组，转子设置有第一永磁体、第二永磁体、第三永磁体、扇形磁障和磁桥，第一永磁体、第二永磁体分别呈一字型周向均布于第一层和第二层转子铁心，两个第一永磁体之间设置扇形磁障，第三永磁体呈轮辐状径向均布于转子铁心，扇形磁障分别和永磁体、转子外缘之间设置磁桥，第一永磁体分别和第二永磁体、第三永磁体构成串联磁路。本发明可以突破传统串联内置式可变磁通记忆电机调磁范围窄的瓶颈问题，同时能够保持高转矩密度，降低所需去磁电流的幅值，并且拓宽电机高效运行范围。

本发明授权一种串联磁路自漏磁型可变磁通记忆电机在权利要求书中公布了：1.一种串联磁路自漏磁型可变磁通记忆电机，包括定子11、绕组12和转子2，其特征在于，所述定子11和转子2同轴套设，且两者之间设有均匀气隙，所述转子2每极单元上均设置有第一永磁体31、第二永磁体32、第三永磁体33、扇形磁障4和磁桥5； 所述第一永磁体31呈一字型均布于所述转子2靠近外缘一侧的第一层转子铁心上，所述第二永磁体32呈一字型周向均布于所述转子2靠近内缘一侧的第二层转子铁心上，所述第三永磁体33呈轮辐状径向均布于转子铁心上，且其位于转子2内侧以及相邻第二永磁体32之间，所述扇形磁障4分布于相邻的第一永磁体31之间，且位于转子2的外缘处，同时其又位于所述第三永磁体33的外侧； 所述第一永磁体31和扇形磁障4之间、所述第三永磁体33和扇形磁障4之间以及转子2外缘和扇形磁障4之间均具有为漏磁提供路径的磁桥5； 所述第一永磁体31为低矫顽力永磁体，第二永磁体32和第三永磁体33均为高矫顽力永磁体，第一永磁体31分别和第二永磁体32、第三永磁体33构成串联磁路，第二永磁体32沿充磁方向单向磁化，第一永磁体31沿充磁方向双向磁化，且第一永磁体31在增磁状态下与第二永磁体32充磁方向一致，在去磁状态下与第二永磁体32充磁方向相反。

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