致真存储(北京)科技有限公司范晓飞获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉致真存储(北京)科技有限公司申请的专利磁存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115884601B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211499465.7，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权磁存储器及其制造方法是由范晓飞;陈文静;曹凯华;刘宏喜;王戈飞设计研发完成，并于2022-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及其制造技术领域，具体涉及磁存储器及其制造方法，所述磁存储器至少包括：反铁磁层，所述反铁磁层的材料为非共线反铁磁材料；磁隧道结，设置于所述反铁磁层上，所述磁隧道结自下而上依次包括自由层、隧穿势垒层和参考层；其中，当所述反铁磁层通入电流时，利用所述反铁磁层的自旋轨道矩效应改变所述反铁磁层与所述自由层形成的交换偏置场方向，进而翻转所述自由层的磁矩方向。可以借助非共线反铁磁材料的反铁磁层其内部的自旋轨道矩效应进行磁矩翻转，从而大幅降低了写入电流，进而降低了该磁存储器的功耗，也更易于驱动该磁存储器。
本发明授权磁存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种磁存储器，其特征在于，所述磁存储器至少包括： 反铁磁层，所述反铁磁层的材料为非共线反铁磁材料； 所述非共线反铁磁材料包括锰Mnx和Y，X＞3；其中，所述Y包括以下任一项：镓Ga、锗Ge、铱Ir、铑Rh、锡Sn、铂Pt； 磁隧道结，设置于所述反铁磁层上，所述磁隧道结自下而上依次包括自由层、隧穿势垒层和参考层； 其中，当所述反铁磁层通入电流时，利用所述反铁磁层的自旋轨道矩效应改变所述反铁磁层与所述自由层形成的交换偏置场方向，进而翻转所述自由层的磁矩方向， 所述磁存储器具备面内各向异性。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人致真存储(北京)科技有限公司，其通讯地址为：100191 北京市海淀区知春路6号(锦秋国际大厦)10层A03；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励