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龙图腾网获悉上海芯元基半导体科技有限公司申请的专利LED芯片的制作方法、LED芯片、设备的制作方法以及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911019B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211398271.8，技术领域涉及：H01L25/075；该发明授权LED芯片的制作方法、LED芯片、设备的制作方法以及设备是由郝茂盛;岑岗;陈朋设计研发完成，并于2022-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本LED芯片的制作方法、LED芯片、设备的制作方法以及设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种LED芯片的制作方法，包括：形成键合有临时转移衬底的若干LED芯片模组结构；LED芯片模组结构包括：依次堆叠的N型外延层、发光层以及P型外延层；所述临时转移衬底键合于所述P型外延层上；提供第一基板；所述第一基板包括若干第一基板单元；第一基板单元包括N电极和P电极；将所述LED芯片模组结构中的所述N型外延层与对应所述第一基板单元键合，同时去除所述临时转移衬底，以将所述若干LED芯片模组结构整体转移到所述第一基板上；将每个所述LED芯片模组结构中的所述P型外延层与对应的所述P电极电性连接，所述N型外延层与对应的所述N电极电性连接；对所述若干LED芯片模组进行整体封装。

本发明授权LED芯片的制作方法、LED芯片、设备的制作方法以及设备在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括： 形成键合有临时转移衬底的若干LED芯片模组结构；LED芯片模组结构包括：依次堆叠的N型外延层、发光层以及P型外延层；其中，所述P型外延层和所述发光层形成于部分所述N型外延层上，以暴露出部分所述N型外延层；所述临时转移衬底键合于所述P型外延层上； 提供第一基板；所述第一基板包括若干第一基板单元；第一基板单元包括N电极和P电极；其中，所述N电极与所述P电极在所述第一基板上的位置，分别适配于对应的所述N型外延层和所述P型外延层在所述LED芯片模组结构中的位置； 将所述LED芯片模组结构中的所述N型外延层与对应所述第一基板单元键合，同时去除所述临时转移衬底，以将所述若干LED芯片模组结构整体转移到所述第一基板上； 将每个所述LED芯片模组结构中的所述P型外延层与对应的所述P电极电性连接，所述N型外延层与对应的所述N电极电性连接，包括：将所述N型外延层与对应的所述N电极通过金属走线连接，以使得所述N型外延层与所述N电极电性连接；将所述P型电极与对应的所述P电极通过所述金属走线连接，以使得所述P型外延层与所述P电极电性连接； 对所述若干LED芯片模组进行整体封装。

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