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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利具有半圆漏极侧选择栅极的存储器装置中的次级交叉耦合效应及对策获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115915761B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210567645.8，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权具有半圆漏极侧选择栅极的存储器装置中的次级交叉耦合效应及对策是由杨翔设计研发完成，并于2022-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有半圆漏极侧选择栅极的存储器装置中的次级交叉耦合效应及对策在说明书摘要公布了：本发明提供了一种存储器装置和操作方法。该存储装置包括连接到字线并且被布置成串的存储器单元。这些存储器单元被配置为保持对应于存储器状态的阈值电压。这些串中的每一个串具有位于这些串中的该一个串的漏极侧上的漏极侧选择栅极晶体管，这些串中的该一个串包括连接到位线并且耦合到这些串中的该一个串的这些存储器单元的顶部漏极侧选择栅极晶体管。控制装置耦合到这些字线和这些位线，并且被配置为在存储器操作期间，将未经选择的顶部电压施加到这些顶部漏极侧选择栅极晶体管中的未经选择的顶部漏极侧选择栅极晶体管。该控制装置还被配置为在该存储器操作期间，将所选顶部电压同时施加到所选顶部漏极侧选择栅极晶体管。该未经选择的顶部电压在电气上与该所选顶部电压有意地不同。

本发明授权具有半圆漏极侧选择栅极的存储器装置中的次级交叉耦合效应及对策在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，所述存储器装置包括： 存储器单元，所述存储器单元连接到多个字线中的一个字线并且被布置成串并且被配置为保持阈值电压； 所述串中的每一个串，所述串中的所述每一个串具有位于所述串中的所述一个串的漏极侧上的多个漏极侧选择栅极晶体管，以及包括连接到多个位线中的一个位线并且耦合到所述串中的所述一个串的所述存储器单元的多个顶部漏极侧选择栅极晶体管中的一个顶部漏极侧选择栅极晶体管；和 控制装置，所述控制装置耦合到所述多个字线、所述多个位线和所述多个漏极侧选择栅极晶体管，并且被配置为： 在存储器操作期间，将未经选择的顶部电压施加到所述多个顶部漏极侧选择栅极晶体管中的未经选择的顶部漏极侧选择栅极晶体管，以及 在所述存储器操作期间，将所选顶部电压同时施加到所述多个顶部漏极侧选择栅极晶体管中的所选顶部漏极侧选择栅极晶体管，所述未经选择的顶部电压在电气上与所选顶部电压不同； 其中所述控制装置被进一步配置为基于所述多个顶部漏极侧选择栅极晶体管的晶体管阈值电压来自适应地调整所选顶部电压；并且 其中所述控制装置被进一步配置为： 将检测阈值电压初始化为预先确定的检测阈值电压，以响应于接收到存储器操作命令； 计数具有高于所述检测阈值电压的所述晶体管阈值电压的所述多个顶部漏极侧选择栅极晶体管中的那些顶部漏极侧选择栅极晶体管的顶部漏极侧选择栅极量； 确定所述顶部漏极侧选择栅极量是否小于顶部漏极侧选择栅极量检测阈值； 通过Δ检测阈值电压递增所述检测阈值电压，并且返回计数具有高于所述检测阈值电压的所述晶体管阈值电压的所述多个顶部漏极侧选择栅极晶体管中的所述那些顶部漏极侧选择栅极晶体管的所述顶部漏极侧选择栅极量，以响应于所述顶部漏极侧选择栅极量不小于顶部漏极侧选择栅极量检测阈值； 将所选顶部电压设置为等于所述检测阈值电压加上预先确定的固定过驱动电压的自适应的所选顶部电压，以响应于所述顶部漏极侧选择栅极量小于顶部漏极侧选择栅极量检测阈值；以及 使用所述自适应的所选顶部电压继续所述存储器操作。

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