中国科学院微电子研究所李永亮获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种环栅晶体管及其制造方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115954386B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211652172.8，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种环栅晶体管及其制造方法、半导体器件是由李永亮;赵飞设计研发完成，并于2022-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种环栅晶体管及其制造方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开一种环栅晶体管及其制造方法、半导体器件，涉及半导体技术领域，以限制栅堆叠结构的长度，且简化环栅晶体管的制造过程。该环栅晶体管包括：半导体基底、纳米结构、栅堆叠结构和栅长控制结构。至少一层纳米结构形成在半导体基底上。沿纳米结构长度方向，每层纳米结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的沟道区。源区和漏区的材料包括第一金属半导体化合物。栅堆叠结构环绕在沟道区的外周。沿栅堆叠结构的长度方向，栅堆叠结构的侧壁相对于沟道区的侧壁向内凹入，形成凹口。栅长控制结构填充满凹口。栅长控制结构的材料为第二金属半导体化合物，制造第二金属半导体化合物的半导体材料不同于制造第一金属半导体化合物的半导体材料。
本发明授权一种环栅晶体管及其制造方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种环栅晶体管，其特征在于，包括：半导体基底， 形成在所述半导体基底上的至少一层纳米结构；每层所述纳米结构与所述半导体基底之间具有空隙；沿所述纳米结构的长度方向，每层所述纳米结构包括源区、漏区、以及位于所述源区和所述漏区之间的沟道区；所述源区和所述漏区的材料包括第一金属半导体化合物； 形成在所述半导体基底上的栅堆叠结构；所述栅堆叠结构环绕在所述沟道区的外周；沿所述栅堆叠结构的长度方向，所述栅堆叠结构的侧壁相对于所述沟道区的侧壁向内凹入，形成凹口； 以及填充满所述凹口的栅长控制结构；所述栅长控制结构的材料为第二金属半导体化合物，制造所述第二金属半导体化合物的半导体材料不同于制造所述第一金属半导体化合物的半导体材料。
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