杜克大学;冷原子量子技术公司J·金获国家专利权
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龙图腾网获悉杜克大学;冷原子量子技术公司申请的专利小体积UHV离子陷阱封装及形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115956282B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180048590.3，技术领域涉及：H01J49/16；该发明授权小体积UHV离子陷阱封装及形成方法是由J·金;G·弗里伊森;I·茵莱克;T·诺埃尔;M·艾沃里;A·卡托;S·休斯设计研发完成，并于2021-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本小体积UHV离子陷阱封装及形成方法在说明书摘要公布了：本公开的方面描述实现可在高于低温温度的温度下操作的紧凑型UHV离子陷阱系统的系统、方法及结构。根据本公开的离子陷阱系统在保持在UHV环境中时进行表面处理及密封，其中不同组件经由UHV密封件连结，所述UHV密封件例如焊接接头、可压缩金属凸缘及UHV兼容焊接接头。因此，不需要低温泵，由此实现极小体积的系统。
本发明授权小体积UHV离子陷阱封装及形成方法在权利要求书中公布了：1.一种离子陷阱系统，其包括： 离子陷阱，其是无低温吸附泵的且安置在芯片载体上；及 围封件，其将所述离子陷阱围封在第一腔室中，其中所述围封件包含包括所述芯片载体及外壳的多个零部件，其中所述多个零部件中的所述零部件通过由UHV密封件组成的多个密封件连结，且其中所述多个密封件中的至少一个密封件包括焊接接头、可压缩金属凸缘及UHV兼容焊接接头中的至少一者； 其中所述第一腔室具有小于或等于10-10托的压力； 其中所述第一腔室具有小于或等于10cm3的内部体积；且 其中所述离子陷阱系统具有大于或等于-50℃的操作温度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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