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龙图腾网获悉湖北工业大学申请的专利一种环型压控振荡器和多模接收机获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115996054B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310098813.8，技术领域涉及：H03L7/099；该发明授权一种环型压控振荡器和多模接收机是由邹维;张馨予;马新国设计研发完成，并于2023-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种环型压控振荡器和多模接收机在说明书摘要公布了：本发明公开了一种环型压控振荡器和多模接收机，该环型压控振荡器包括三个依次连接的双路径结构延迟单元，该环型压控振荡器采用双共源级外加NMOS管源跟随反馈的新结构，能够使得输出的噪声电压或电流相抵消，进而降低相位噪声；同时，该环型压控振荡器在输出端加入变容管对和电容开关阵列，通过引入变容管和调谐电压可以实现对电路的频率调谐，以及通过电容开关阵列可进一步增大环型压控振荡器的调谐范围；该环型压控振荡器还在A‑MOS变容管对的基础上并联增加了偏置的I‑MOS变容管对，能够使得A‑MOS变容管差的电容特性被I‑MOS变容管所补偿，从而可优化环型压控振荡器的调谐线性度。

本发明授权一种环型压控振荡器和多模接收机在权利要求书中公布了：1.一种环型压控振荡器，其特征在于，包括：三个依次连接的双路径结构延迟单元，其中，第一双路径结构延迟单元的第一差分输出端和第二差分输出端分别与第二双路径结构延迟单元的第一差分输入端和第二差分输入端连接；所述第二双路径结构延迟单元的第一差分输出端和第二差分输出端分别与第三双路径结构延迟单元的第一差分输入端和第二差分输入端连接；所述第三双路径结构延迟单元的第一差分输出端和第二差分输出端分别与所述第一双路径结构延迟单元的第二差分输入端和第一差分输入端连接； 每一所述双路径结构延迟单元包括： 第一MOS管~第十MOS管，所述第一MOS管的栅极和第五MOS管的源极与对应的第一差分输入端连接，所述第一MOS管的漏极与第三MOS管的漏极、所述第三MOS管的栅极、第四MOS管的栅极和所述第五MOS管的栅极连接，所述第三MOS管的源极、所述第四MOS管的源极和所述第五MOS管的漏极均与第一电源连接，所述第四MOS管和第二MOS管的漏极与对应的第一差分输出端连接，所述第一MOS管和所述第二MOS管的源极接地，所述第二MOS管的栅极与对应的第二差分输入端连接； 第六MOS管的栅极和第十MOS管的源极与对应的第二差分输入端连接，所述第六MOS管的漏极与第八MOS管的漏极、所述第八MOS管的栅极、第九MOS管的栅极和所述第十MOS管的栅极连接，所述第八MOS管的源极、所述第九MOS管的源极和所述第十MOS管的漏极均与所述第一电源连接，所述第九MOS管和第七MOS管的漏极与对应的第二差分输出端连接，所述第六MOS管和所述第七MOS管的源极接地，所述第七MOS管的栅极与对应的第一差分输入端连接。

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