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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116013934B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211659341.0，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权显示面板及显示装置是由马倩设计研发完成，并于2022-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示面板及显示装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种显示面板及显示装置。显示面板包括电性连接的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管包括由低温多晶硅材料形成的第一有源部，第二晶体管包括第二栅极以及由金属氧化物材料形成的第二有源部：显示面板还包括基底，第一有源部设置于基底上；第二有源部位于第一有源部远离基底的一侧；第二栅极位于第二有源部远离第一有源部的一侧；其中，第二有源部在基底上的正投影与第一有源部在基底上的正投影至少部分重叠。本发明可以提高显示面板的空间利用率和分辨率。

本发明授权显示面板及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，其特征在于，包括电性连接的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管包括由低温多晶硅材料形成的第一有源部，所述第一晶体管包括与所述第一有源部两端搭接的第一源极和第一漏极，所述第二晶体管包括第二栅极以及由金属氧化物材料形成的第二有源部，所述第二有源部包括第二沟道子部，所述第二晶体管还包括第二源极和第二漏极； 所述显示面板还包括： 基底； 第一有源层，设置于所述基底上，并包括所述第一有源部； 第二有源层，设置于所述第一有源层远离所述基底的一侧，并包括位于所述第一有源部远离所述基底一侧的所述第二有源部； 第一金属层，设置于所述第二有源层远离所述第一有源层的一侧，并包括位于所述第二有源部远离所述第一有源部一侧的所述第二栅极； 第二金属层，设置于所述第二有源层和所述第一有源层之间，所述第二金属层包括所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极，且所述第二有源部位于所述第一源极和所述第一漏极之间，所述第二有源部的两端分别连接于所述第二源极和所述第二漏极； 所述第一晶体管还包括设置于所述第一有源部和所述第二有源部之间的第一栅极、以及设置于所述第一栅极和所述第二有源部之间的电极板；所述第二沟道子部在所述基底上的正投影位于所述第一栅极在所述基底上的正投影内，和或，所述第二沟道子部在所述基底上的正投影位于所述电极板在所述基底上的正投影内； 其中，所述第二有源部在所述基底上的正投影与所述第一有源部在所述基底上的正投影至少部分重叠。

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