上海集成电路研发中心有限公司张党柱获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路研发中心有限公司申请的专利MOSCAP器件沟槽制备方法及MOSCAP器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053193B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211741319.0，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权MOSCAP器件沟槽制备方法及MOSCAP器件是由张党柱;左青云;卢意飞设计研发完成，并于2022-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本MOSCAP器件沟槽制备方法及MOSCAP器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种MOSCAP器件沟槽制备方法，包括以下步骤，S1：提供待处理晶圆，在所述晶圆上光刻、注入离子，形成第一离子注入区；S2：对所述晶圆进行退火，使所述第一离子注入区扩散形成第二离子注入区；S3：在所述晶圆上生长氧化层；S4：通过湿法刻蚀去除所述氧化层，形成目标沟槽结构。本发明的制备方法能够改善在干法刻蚀过程中形成的比较尖锐的角，从而降低该处的应力，提高器件的可靠性。本发明还提供一种MOSCAP器件。
本发明授权MOSCAP器件沟槽制备方法及MOSCAP器件在权利要求书中公布了：1.一种MOSCAP器件沟槽制备方法，其特征在于，包括以下步骤， S1：提供待处理晶圆，在所述晶圆表面形成浅沟槽隔离，并在所述晶圆上光刻、注入离子，形成第一离子注入区，所述第一离子注入区位于所述浅沟槽隔离的边缘处； S2：对所述晶圆进行退火，使所述第一离子注入区扩散形成第二离子注入区； S3：在所述晶圆上生长氧化层； S4：通过湿法刻蚀去除所述氧化层，形成目标沟槽结构。
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