深圳市华星光电半导体显示技术有限公司章仟益获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板的制作方法及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053284B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211658925.6，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权显示面板的制作方法及显示面板是由章仟益设计研发完成，并于2022-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板的制作方法及显示面板在说明书摘要公布了：本申请提供了一种显示面板的制作方法及显示面板，通过在显示面板的半导体图案的欧姆接触部的背离基板的表面形成多个间隔分布的柱状光阻，然后在基板和柱状光阻上形成绝缘层，在将柱状光阻去除时，可以将位于柱状光阻上方绝缘层一同去除，并裸露出欧姆接触部，在后续形成第一金属层和第二金属层时，源极和漏极可以直接与对应的欧姆接触部搭接，从而可以节省用于刻蚀绝缘层所需的光罩，同时还可以避免源极或漏极与欧姆接触部接触时发生断裂，从而可以提高显示面板的工艺良率。
本发明授权显示面板的制作方法及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括： 在基板上形成半导体层； 对所述半导体层进行图案化处理，形成多个半导体图案和多个柱状光阻，所述半导体图案具有沟道部和欧姆接触部，多个所柱状光阻在所述欧姆接触部的背离所述基板的表面间隔分布； 在所述基板和所述柱状光阻上形成绝缘层； 将所述柱状光阻和位于所述柱状光阻上的所述绝缘层去除，裸露出所述欧姆接触部； 在所述绝缘层上形成第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极； 在所述绝缘层上形成第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理，形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与对应的所述欧姆接触部接触； 其中，所述对所述半导体层进行图案化处理，形成多个半导体图案和多个柱状光阻的步骤包括： 在所述半导体层上形成第一光阻层； 对所述第一光阻层依次进行曝光和显影，形成多个第一光阻图案； 对所述半导体层进行刻蚀，形成所述半导体图案； 对所述第一光阻图案依次进行减薄处理和刻蚀，形成多个所述柱状光阻； 位于所述基板上的所述绝缘层与位于所述柱状光阻上的所述绝缘层断开。
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